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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
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IGBT模块是由不同的材料层构成,如金属、陶瓷以及高分子聚合物以及填充在模块内部用来改善器件相关热性能的硅胶。它们的热膨胀系数以及热导率存在很大的差异,...
工作在容性区域电流超前于电压,前级开关管容易实现ZCS关断,这个区域比较适合IGBT。 工作在感性区域电压超前于电流,前级开关管容易实现ZVS开通,这个...
什么是IGBT固态脉冲,它的工作原理是什么?IGBTa安装与应用技术
对于不含阻尼二极管的IGBT管,由于三个电极间的正反向电阻均为无穷大,故不能用此法判断。一般地,可从外形上识别IGBT各电极的名称,标注型号的一面对着观...
严格来说,器件静电损伤也属于过电压应力损伤,静电型过电应力的特点是:电压较高,能力较小,瞬间电流较大,但持续的时间极短,与一般的过电应力相比,静电型损伤...
激光加工作为一种先进的制造技术,具有应用范围广、工艺灵活性好、加工精度高、质量好、生产过程清洁以及便于实现自动化、柔性化、智能化和提高产品质量、劳动生产...
制造商已经为高压直流 (HVDC) 应用开发出新的 4.5kV 绝缘栅双极晶体管 (IGBT)/ 二极管芯片组并对其性能进行了优化 。
2014-10-28 标签:IGBT英飞凌科技FZ1200R45HL3 4136 0
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一种高功率半导体器件,具有开关速度快、损耗低、可靠性高等优点,广泛应用于...
从 20 世纪 80 年代 IGBT 被首次提出至今,IGBT 器件不断朝着更低的正向导通压降、更小的开关损 耗方向发展;但是,鉴于 IGBT 器件的各...
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