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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
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igbt模块散热基板的作用及种类 车规级IGBT功率模块散热方式
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使用工业级热特征提取方法提高大功率半导体的测试与故障诊断速度
随着消费者和工业电子系统不断增长的能源需求,电子电力元器件供应商以及OEM 面临着为航空、电动车、火车、发电设备以及可重复使用能源生产提供高可靠性系统的...
碳化硅(SiC)技术带来了无限的新机会。只要存在对高可靠性功率系统的需求,碳化硅 MOSFET 就能在许多行业中的许多不同应用(包括必须在恶劣环境中工作...
IGBT双脉冲仿真—脉冲宽度、负栅极电压、发射极寄生电感的影响
阶段2(tl—t2):在t1时刻,VGE>Vth,沟道开启,电子开始通过沟道注入到基区,同时背面的集电极开始向基区内注入空穴,集电极开始产生电流I...
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