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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

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全部技术资讯资料帖子视频产品方案企业 IGBT选型

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绝缘栅双极型晶体管IGBT工艺仿真

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SimpleFOC之多路PWM驱动，相电流监测2

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对于不间断电源高频逆变电路是选择IGBT还是MOSFET的功率开关管呢？

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不间断电源的产品会有不同的标准，常见会有GB 4943-2011、IEC 62040-1:2017、UL1778 4th Edition、EN 6204...

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