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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
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IGBT芯片与芯片的电极端子间,IGBT芯片电极端子与二极管芯片间,芯片电极端子与绝缘衬板间一般通过引线键合技术进行电气连接。
在具有最小Eon损耗的ZVS 和 ZCS应用中,MOSFET由于具有较快的开关速度和较少的关断损耗,因此能够在较高频率下工作。
作为高可靠性芯片连接技术,银烧结技术得到了功率模块厂商的广泛重视,一些功率半导体头部公司相继推出类似技术,已在功率模块的封装中取得了应用。
该模块由塑料外壳封装起来,底部为导热钣金,导热钣金贴在散热器上,用四个螺丝固定。Pin脚焊在陶瓷衬板上。
我们就从常见的开关说起,这边给他接一个电源,右边接一个负载,然后不停的开关这个开关,那么这个负载上的电压波形就是这么一个pwm波。那这个电路看上去很简单...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)作为一种新型功率半导体器件,是国际上公认的电力电子技术第三次革命最具代表性...
由于VFD /逆变器是提供电源的关键组件,因此它们的操作,性能和可靠性对于保持不间断电源至关重要。本应用笔记重点关注即使在不利条件下也可帮助确保VFD的...
在所有工业控制系统中,变频驱动器(VFD)/逆变器通常安装在电动机的前端,以调节速度并节省能源。
IGBT模块是由不同的材料层构成,如金属,陶瓷以及高分子聚合物以及填充在模块内部用来改善器件相关热性能的硅胶。
电驱系统工作:在驾驶新能源汽车时,电机控制器把动力电池放出的直流电(DC)变为交流电(AC)(这个过程即逆变),让驱动电机工作,电机将电能转换成机械能,...
变频器,也称为变频调速器,是一种能够对电源电压进行精确调节的电力电子设备。它通过电子元器件(如晶闸管、IGBT等)将输入的交流电源进行整流和逆变,输...
PWM是脉宽调制,在电力电子中,最常用的就是整流和逆变。这就需要用到整流桥和逆变桥。对三相电来说,就需要三个桥臂。 以两电平为例,每个桥臂上有两个...
近年来,以SiC(SiC)、氮化镓(GaN)等材料为代表的化合物半导体因其宽禁带、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等优异的性能而饱受关注。
铝线键合是目前工业上应用最广泛的一种芯片互连技术,铝线键合技术工艺十分成熟,且价格低廉。铝线根据直径的不同分为细锡线和粗铝线两种,直径小于100um的铝...
国内庞大的市场基础、 潜在的电力电子装备关键器件完全依靠进口的风险和国家产业升级共同推动了本土IGBT芯片设计、模块封装的技术进步和创新。
为了确保高水平的功能安全以保护车辆操作员以及第一代系统,使能套件中包含系统级功能安全白皮书、设备FMEDA和功能安全运行时框架,适用于ASIL C/D ...
变频器是一种用于控制交流电动机转速和转矩的电子设备。它能够将电源的电压和频率转换为可调节的电压和频率输出,从而控制电机的转速和转矩。
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