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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
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参数漂移是随着部件退化而发生的,而电学特性,如V行政长官(ON)或IC冰漂在可接受的操作范围内,由于在设备或模块内累积损坏
2023-03-13 标签:IGBT 809 0
高电压会导致压缩机、PTC和电机驱动MCU成本增.加,以当前较为成熟的2C快充,采用150kW前驱动系统为例,950V电压平台相比450V电压平台增加成...
IGBT (绝缘栅双极晶体管)作为一种功率半导体器件,广泛应用于轨道交通、智能电网、工业节能、电动汽车和新能源装备等领域。
变频器是应用变频技术与微电子技术,通过改变电机工作电源频率方式来控制交流电动机的电力控制设备。** 变频器靠内部IGBT的开断来调整输出电源的电压和频率...
为获得绝缘栅双极型晶体管( IGBT)在工作过程中准确的功率损耗,基于数学模型及测试,建立了 一种准确计算功率逆变器损耗模型的方法。通过双脉冲测试对影响...
寄生二极管和普通二极管一样,正接会导通,反接截止,对于NMOS,当S极接正,D极接负,寄生二极管会导通,反之截止;对于PMOS管,当D极接正,S极接负,...
近几年主流芯片制造厂商,包括Infineon, Fuji, Mitsubishi等都相继问世了第七代芯片,在芯片大小,芯片厚度,饱和压降,开关损耗等权衡...
变频器内部是由无数个电子器件构成的,其工作时会产生大量的热量,尤其是IGBT工作在高频状态下,产生的热量会更多。
具体来说,可以通过电子器件(例如晶体管、IGBT等)开关电源,将直流电源转换为高频的脉冲信号,再通过控制脉冲的占空比来控制电机的电压。当占空比增加时...
IGBT,绝缘栅双极型晶体管,是由(BJT)双极型三极管和绝缘栅型场效应管(MOS)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有(MOSFET)金氧...
开通、导通和关断损耗构成了 IGBT 芯片损耗的总和。关断状态损耗可以忽略不计,不需要计算。为了计算 IGBT 的总功率损耗,须将这三个能量之和乘以开关频率。
IGCT(Integrated Gate-Commutated Thyristor,集成门控晶闸管)和 IGBT(Insulated Gate Bipo...
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