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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

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IGBT的研究与进展

从 20 世纪 80 年代 IGBT 被首次提出至今，IGBT 器件不断朝着更低的正向导通压降、更小的开关损耗方向发展；但是，鉴于 IGBT 器件的各...

2023-02-24 标签：电路 IGBT 半导体器件 3676 0

主流功率半导体器件IGBT的历史沿革和最新研究

本文首先介绍了 IGBT 技术的研究现状，并对 IGBT 不同结构的特点和电学特性做了简要阐述；最后列举了一些最新的研究成果，并探讨了 IGBT 的 ...

2023-02-24 标签：emi IGBT 半导体器件 4702 0

怎样将直流电转变为交流电？

单相桥式逆变电路实现逆变，将直流电转变成交流电。改变两组开关的切换频率，就可以改变输出交流电的频率。

2023-02-23 标签：晶闸管 IGBT 逆变电路 3716 0

纳芯微全新推出光耦兼容的智能隔离单管驱动器NSi68515

纳芯微单通道智能隔离式栅极驱动器NSi68515，专为驱动高达2121V直流母线电压下的SiC MOSFET，IGBT而设计

2023-02-23 标签：MOSFET 驱动器 IGBT 1442 0

IGBT功率半导体的主要引用领域有哪些？

可控硅：能够被低功率的控制信号打开，但只能由主电路（功率电路）自身来关断而不能被控制信号关断，因此又被称为半可控开关。

2023-02-23 标签：变压器 IGBT 功率半导体 4138 0

详解IGBT的米勒钳位电路

当出现短路时IGBT的Vce快速上升，过高的dVce/dt会通过米勒电容给IGBT门极充电，若不进行保护会使得门极电压过高而损坏IGBT，门极钳位电路主...

2023-02-23 标签：三极管 IGBT pnp 7909 0

三极管推挽电路设计

当驱动光耦的输出能力无法满足IGBT门极驱动电流的要求时，要选择使用推挽驱动。

2023-02-23 标签：三极管电路设计 IGBT 2657 0

SiC-MOSFET与IGBT的区别

IGBT的低Vd（或低Id）范围（在本例中是Vd到1V左右的范围），在IGBT中是可忽略不计的范围。这在高电压大电流应用中不会构成问题，但当用电设备的电...

2023-02-23 标签：MOSFET IGBT SiC 976 0

IGBT的等效电路

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管...

2023-02-22 标签：MOSFET IGBT 功率半导体 6713 0

IGBT的优缺点

简单讲，是一个非通即断的开关，IGBT没有放大电压的功能，导通时可以看做导线，断开时当做开路。IGBT融合了BJT和MOSFET的两种器件的优点，如驱动...

2023-02-22 标签：MOSFET 电压 IGBT 3525 0

IGBT内部结构

为了更好了解IGBT，下面我们再来看看它的内部结构：一般，IGBT 有三个端子：集电极、发射极和栅极，他们都是附有金属层。但是，栅极端子上的金属材料具有...

2023-02-22 标签：半导体 IGBT 晶体管 4184 0

IGBT工作原理与MOSFET的关联

　IGBT是将强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高...

2023-02-22 标签：MOSFET IGBT 功率 1697 0

关于IGBT与MOSFET的不同

　MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极（S）、漏极（D）和栅极（G）。主要优点是热稳定性好、安全工作区大，缺点是击穿电压低，工作电流小。

2023-02-22 标签：MOSFET 变频器 IGBT 3923 0

IGBT功率模块的特点及应用

　IGBT功率模块是电压型控制，输入阻抗大，驱动功率小，控制电路简单，开关损耗小，通断速度快，工作频率高，元件容量大等优点。实质是个复合功率器件，它集双...

2023-02-22 标签：IGBT 晶体管功率模块 3284 0

使用数字万用表对IGBT模块进行检验

IGBT模块是一种模块化半导体产品，由IGBT(绝缘栅双极晶体管芯片)和续流二极管芯片(续流二极管芯片)通过特定的电路桥封装而成。封装后的IGBT模块直...

2023-02-22 标签：二极管模块数字万用表 3647 0

IGBT功率模块的优势

IGBT最常见的形式其实是模块（Module），而不是单管。IGBT模块是由IGBT与FWD（续流二极管芯片）通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产...

2023-02-22 标签：模块半导体 IGBT 2391 0

IGBT功率模块是什么？

IGBT功率模块是指采用lC驱动，利用最新的封装技术将IGBT与驱动电路、控制电路和保护电路高度集成在一起的模块。其类别从复合功率模块PIM发展到智能功...

2023-02-22 标签：封装技术 IGBT 功率模块 4066 0

IGBT功率半导体的主要应用领域有哪些？

IGBT模块可以分为低压（600V以下），中压（600V-1200V）和压（1200V-6700V），IGBT主要用于变频器逆变和其他逆变电路。将直流电...

2023-02-22 标签：变频器 IGBT 功率半导体 1503 0

如何证明IGBT模块是功率半导体

在功率器件中，IGBT模块备受各行业青睐，甚至还入选了我国重大科技专项重点扶持项目。它兼具MOSFET（绝缘栅型场效应管）及BJT（双极型三极管）两类器...

2023-02-22 标签：模块 IGBT 功率半导体 396 0

功率二极管是什么

功率二极管作为最基本的电力电子器件，在电力电子系统中有着最广泛的应用，其主要结构——PN结是其他功率半导体器件的基础。深刻理解二极管的工作特性，有助于学...

2023-02-21 标签：功率二极管电力电子器件 IGBT 710 0

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