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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
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绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是一种三端功率半导体器件,常用作电子开关。凭借出色的开关特性、耐高温性、轻量级和成本效益等特征,IGBT 电源模块逐渐成...
功率半导体的类型有多种,其中最常用的是MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)、IGBT(可控硅晶体管)和SCR(可控整流器)。MOSFET是一种可...
隔离驱动IGBT的意义在于,它可以将低电压的控制信号转换为高电压的控制信号,从而控制IGBT晶体管的开关,从而实现高效的电力控制。
碳化硅MOSFET技术是一种半导体技术,它可以用于控制电流和电压,以及检测电阻、电容、电压和电流等参数,以确定电子设备是否正常工作。碳化硅MOSFET技...
IGBT的栅极-发射极电压VGE类似于MOSFET的栅极-源极电压VGS,集电极电流IC类似于漏极电流ID,集电极-发射极电压VCE类似于漏源电压VDS。
相对于LTCC和HTCC,TFC为一种后烧陶瓷基板。采用丝网印刷技术将金属浆料涂覆在陶瓷基片表面,经过干燥、高温烧结(700~800℃)后制备。金属浆料...
通常来讲,全控型半导体器件可以依照其导通状态下的载流子类型分为单极型半导体器件和双极型半导体器件,在每一类中又可以分为电流控制型和电压控制型。
当充电桩向高压架构发展的趋势越来越明显,高性能MOSFET的需求也越来越大,通过改进器件结构的超级结MOSFET应运而生了。
为您的设计选择最佳选项:碳化硅MOSFET相对于IGBT的优势!
GBT(绝缘栅双极晶体管)和MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)用于许多不同类型的电源应用,包括可再生能源、航空航天、汽车和运输、测试和测量以及...
DIPIPM是双列直插型智能功率模块的简称,由三菱电机于1997年正式推向市场,迄今已在家电、工业和汽车空调等领域获得广泛应用。本讲座主要介绍DIPIP...
工业缝纫机在生活、生产应用是非常广泛的,而电机驱动是工业缝纫机系统的中枢大脑。在产品研发中考虑设计以及电子元器件的优化来提升产品性能是非常重要的。
由于变频器(VFD)输出电压不平衡的特点是电机抖动和转速不稳定。一般来说,没有经验很难确定哪个驱动器有问题。此时可启动VFD的2hz,用万用表DC电压范...
变频器(VFD)在运行时突然发出爆炸声,同时外部保险丝烧断,拆机时发现VFD的igbt模块损坏。测试相关板卡后发现igbt触发电路损坏,其他板卡正常。在...
根据电路拓扑和工作条件,两个芯片之间的功率损耗可能会有很大差异。IGBT 的损耗可以分解为导通损耗和开关(开通和关断)损耗,而二极管损耗包括导通和关断损...
与大多数功率半导体相比,IGBT 通常需要更复杂的一组计算来确定芯片温度。这是因为大多数 IGBT 都采用一体式封装,同一封装中同时包含 IGBT 和二...
具体而言,SiC 近年来在很多领域都有应用,比如工业领域。对于 GAN 来说,可使用场景非常广泛。SiC 产品在高功率市场中有着很好的应用,例如 IGB...
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