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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

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IGBT芯片制造工艺流程

GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率...

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常见IGBT模块及原理分析

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IGBT的结构简述 IGBT驱动电路的作用及基本特点

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IGBT-IPM是什么 IGBT-IPM的优点

　　IGBT-IPM是一种集成电力模块，它由一个IGBT（可控硅反激开关）和一个IPM（智能功率模块）组成。它可以用于控制电机、变频器、变压器等电力电子...

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IGBT芯片的电热性能分析

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IGBT应用中的换流方式 IGBT上下桥短路的原因

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伺服电机驱动器在生产应用中是广泛的，而且其系统响应速度快，过载倍数高，小型化和高功率密度的趋势更是对功率器件提出了更苛刻的要求。因此产品研发工程师在产品...

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变频器电机驱动使用什么IGBT？

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功率MOS电路原理解析

功率 MOSFET 正向导通时可用一电阻等效，该电阻与温度有关，温度升高，该电阻变大；它还与门极驱动电压的大小有关，驱动电压升高，该电阻变小。详细的关系...

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IGBT的基础知识

　　IGBT，绝缘栅双极型晶体管，是由(BJT)双极型三极管和绝缘栅型场效应管(MOS)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有(MOSFET)...

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IGBT对栅极驱动电路的要求

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IGBT的使用与保护

目前IGBT 的电流/电压等级已达1800A/1200V，关断时间已经缩短到40ns，工作频率可达40kHz，擎住现象得到改善，安全工作区（SOA）扩大...

2023-02-16 标签：开关电源 IGBT 功率器件 2879 0

以双极性方式驱动单极栅极驱动器

如果特定功率器件需要正极和负栅极驱动，电路设计人员无需寻找专门处理双极性操作的特殊栅极驱动器。使用这个简单的技巧使单极性栅极驱动器提供双极性电压！

2023-02-16 标签：MOSFET 驱动器 IGBT 956 0

碳化硅在半导体中有什么好处？

来几年将看到电子设备和逻辑板的飞跃式增长。但作为电子产品和半导体渗透到新的行业和产品，设计师和制造商一直在寻找更好、更智能的制造方式这些重要组成部分。

2023-02-16 标签：半导体 IGBT SiC 872 0

为何SiC模块受到市场高度关注？

绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是一种三端功率半导体器件，常用作电子开关。凭借出色的开关特性、耐高温性、轻量级和成本效益等特征，IGBT 电源模块逐渐成...

2023-02-16 标签：IGBT 晶体管功率模块 568 0

功率半导体类型及特点

功率半导体的类型有多种，其中最常用的是MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）、IGBT（可控硅晶体管）和SCR（可控整流器）。MOSFET是一种可...

2023-02-15 标签：MOSFET IGBT 功率半导体 1336 0

隔离驱动IGBT的设计技巧

隔离驱动IGBT的意义在于，它可以将低电压的控制信号转换为高电压的控制信号，从而控制IGBT晶体管的开关，从而实现高效的电力控制。

2023-02-15 标签：IGBT 控制信号隔离驱动 1218 0

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