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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
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设计多电飞机(MEA)的飞机制造商希望将飞行控制系统从液压转换为电动,以减轻重量和设计复杂性。
瑞萨电子推出推出一款全新栅极驱动IC—RAJ2930004AGM
栅极驱动IC作为电动汽车逆变器的重要组成部分,在逆变器控制MCU,及向逆变器供电的IGBT和SiC MOSFET间提供接口。
与大多数功率半导体相比,IGBT 通常需要更复杂的一组计算来确定芯片温度。这是因为大多数 IGBT 都采用一体式封装,同一封装中同时包含 IGBT 和二...
在电子电路中,MOS管和IGBT管会经常使用,它们都可以作为开关元件来使用,MOS管和IGBT管在外形及特性参数也比较相似,为什么有些电路中使用MOS管...
为什么要找替代的IGBT?因为面对世界的不稳定因素,国内如果有好的电子元器件替代的话,为什么不选择呢?这样才能更好保障自己的产品稳定性。
毕竟选择一款650V、40A的IGBT,还能替代仙童FGH40N60SFD型号参数的国产IGBT还是值得考虑的。
IGBT功率模块是以绝缘栅双极型晶体管(IGBT)构成的功率模块。由于IGBT模块为MOSFET结构,IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离,具...
通过制动单元外接制动电阻,该方式配合母线电压检测。当电机迅速停机时,电机绕组上的能量会通过逆变侧的反并联二极管倒灌入母线电容,此时母线电压升高;当高于设...
电机的结构,主要是转子和定子。转子是线圈,就是感应电机;转子是永磁体,就是永磁同步电机。
FHA40T65A是一款场N沟道沟槽栅截止型IGBT,使用Trench Field stop Ⅱ technology 和通过优化工艺,来获得极低的 V...
IGBT的开关过程主要是由栅极电压VGE控制的,由于栅极和发射极之间存在着寄生电容艮,因此IGBT的开通与关断就相当于对CGE进行充电与放电。假设IGB...
相比IGBT芯片面积减少了50% ,取消了IGBT使用的反并联二极管。 逆变器效率主要与功率器件的导通损耗和开关损耗相关,而SiC逆 变器在这两点均...
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