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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
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毕竟选择一款650V、40A的IGBT,还能替代仙童FGH40N60SFD型号参数的国产IGBT还是值得考虑的。
IGBT功率模块是以绝缘栅双极型晶体管(IGBT)构成的功率模块。由于IGBT模块为MOSFET结构,IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离,具...
通过制动单元外接制动电阻,该方式配合母线电压检测。当电机迅速停机时,电机绕组上的能量会通过逆变侧的反并联二极管倒灌入母线电容,此时母线电压升高;当高于设...
电机的结构,主要是转子和定子。转子是线圈,就是感应电机;转子是永磁体,就是永磁同步电机。
FHA40T65A是一款场N沟道沟槽栅截止型IGBT,使用Trench Field stop Ⅱ technology 和通过优化工艺,来获得极低的 V...
IGBT的开关过程主要是由栅极电压VGE控制的,由于栅极和发射极之间存在着寄生电容艮,因此IGBT的开通与关断就相当于对CGE进行充电与放电。假设IGB...
相比IGBT芯片面积减少了50% ,取消了IGBT使用的反并联二极管。 逆变器效率主要与功率器件的导通损耗和开关损耗相关,而SiC逆 变器在这两点均...
为解决上述问题,本文创新性地提出双界面散热结构的热测试方法,对传统双界面法进行优化,分别采用两种不同的导热界面材料 A 与 B 对结构函数曲线进行分离。
IGBT是能源变换与传输的核心器件,俗称电力电子装置的“CPU”,作为国家战略性新兴产业,在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。
本文以单相桥式逆变电路为例简单说明一下逆变电路工作原理。 S1~S4是桥式电路的4个臂,由电子器件晶闸管或IGBT及辅助电路组成。
高效节能电机工作原理: 采用新型电机设计、新工艺及新材料,通过降低电磁能、热能和机械能的损耗,提高输出效率。
为什么IGBT和碳中和形成相关关系,我认为清洁能源的大规模推广,对IGBT提出更高的需求,最典型就是光伏逆变器的应用,这里面需要大量高压,超高压的IGB...
2022-12-27 标签:IGBT 2014 0
承受现代IGBT/MOSFET栅极驱动器绝缘能力的最大功率限制
对于IGBT/MOSFET驱动器电气过应力测试(EOS测试),设置了一个非常接近真实条件的电路。该电路包括适合功率范围为5 kW至20 kW的逆变器的电...
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