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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

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全部技术资讯资料帖子视频产品方案企业 IGBT选型

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有源钳位技术解析

IGBT有源钳位电路的意义是什么，IGBT有源钳位的核心是检测Vgc压降，通过延缓IGBT关断，限制因为高di/dt引起的电压尖峰。

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美的电磁炉维修经验分享，同步检测电路工作原理

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2022-12-01 标签：检测电路 IGBT 电磁炉 8549 0

IGBT在大功率斩波中问题的应用

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2022-11-29 标签：晶闸管 IGBT 斩波 1805 0

青铜剑技术新一代I型三电平小功率IGBT驱动核2QD0225T12-Q解析

近年来，随着技术进步和国家政策支持，我国新型储能已逐步在电力辅助服务、用户侧电价管理、新能源消纳以及电网输配电服务等领域得到应用。为有效降低成本、提升...

2022-11-25 标签：IGBT 拓扑结构三电平 5667 0

IGBT和SiC栅极驱动器基础知识（一）

大家好，看到TI一篇关于IGBT和SiC器件栅极驱动应用的文档，虽然比较基础，但是概括的比较好，适合电力电子专业的初学者，总体内容如下。

2022-11-25 标签：MOSFET IGBT 功率器件 1527 0

碳化硅SIC器件在工业应用中的重要作用！

电力电子转换器在快速发展的工业格局中发挥着至关重要的作用。它们的应用正在增加，并且在众多新技术中发挥着核心作用，包括电动汽车、牵引系统、太空探索任务、深...

2022-11-23 标签：IGBT 功率器件 SiC 1000 0

变频器三相电压不平衡的问题分析及解决排查

在变频器维修中，有时候会碰到变频器三相电压不平衡的问题，空载时不报警，重载时变频器会有输出缺项报警，造成这种问题如下。

2022-11-17 标签：变频器 IGBT 三相电压 6740 0

IGBT模块参数详解车用IGBT模块可靠性

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2022-11-16 标签：IGBT 场效应晶体管双极结型晶体管 751 0

聊聊二合一加强版的IGBT以及前身半导体器件

从p型和n型半导体，到最基础的pn结，到pnp/npn的BJT，到pnpn的晶闸管，再到单极性器件MOSFET，再到最终的IGBT，一步步折中优化，使I...

2022-11-10 标签：MOSFET IGBT 晶体管 401 0

自举电路工作原理和自举电阻和电容的选取

如下图自举电路仅仅需要一个15~18V的电源来给逆变器的驱动级提供能量，所有半桥底部IGBT都与这个电源直接相连，半桥上部IGBT的驱动器通过电阻Rbo...

2022-11-08 标签：IGBT 自举电路 1.6万 0

深度解析七大汽车芯片产业等细分领域机遇与挑战

在车载镜头领域，舜宇光学（02382.HK）龙头地位稳固，其车载镜头出货量已连续9年稳居世界第一，2020年市占率32%，与第二名份额拉开较大差距。

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SiC MOSFET相对于Si MOSFET和IGBT的优势

ROHM 具有电流隔离功能的新型晶体管栅极驱动器 ( BM6112 ) 非常适合应对驱动 SiC MOSFET 的独特挑战。它可以驱动高达 20A 的大...

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三相电压型桥式逆变电路详解

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IGBT的工作原理及基本特性

　　绝缘栅双极晶体管(IGBT)结合了GTR和MOSFET的优点，具有良好的特性。IGBT也是三端器件，具有栅极G、集电极C和发射极E。

2022-10-28 标签：MOSFET IGBT 晶体管 1.4万 0

引起IGBT失效的原因

IGBT失效场合：来自系统内部，如电力系统分布的杂散电感、电机感应电动势、负载突变都会引起过电压和过电流；来自系统外部，如电网波动、电力线感应、浪涌等。...

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功率器件模块封装结构演进趋势

IGBT模块是新一代的功率半导体电子元件模块，诞生于20世纪80年代，并在90年代进行新一轮的改革升级，通过新技术的发展，现在的IGBT模块已经成为集通...

2022-10-20 标签：封装 IGBT 功率器件 975 0

隔离比较器在电机驱动系统中的应用

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2022-10-14 标签：比较器电机电机驱动 2526 0

IGBT管的功耗讲解

通态损耗Ps。大体来讲，通态损耗等于集电极电流和IGBT管饱和压降的乘积即：Ps=Ic*Uces。

2022-10-13 标签：IGBT 续流二极管开关损耗 2650 0

ZVS1和ZVS2各有哪些优缺点，如何选择？

工作在容性区域电流超前于电压，前级开关管容易实现ZCS关断，这个区域比较适合IGBT。工作在感性区域电压超前于电流，前级开关管容易实现ZVS开通，这个...

2022-10-12 标签：IGBT LLC 谐振电感 4075 0

快恢复二极管FRD的特性测试

作为瑞能功率半导体产品大家庭中的重要成员，快恢复二极管-FRD以其较低的正向导通压降VF和反向恢复电荷QRR，能帮助客户获得较高的系统整机效率，兼具出色...

2022-10-10 标签：IGBT 快恢复二极管瑞能半导体 4643 0

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