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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
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电磁炉是应用电磁感应加热原理,利用电流通过线圈产生磁场,该磁场的磁力线通过铁质锅底部的磁条形成闭合回路时会产生无数小涡流,使铁质锅体的铁分子高速动动...
在我们实际的应用当中最流行和最常见的电子器件就是常见的双极结晶体管BJT和MOS管。虽然BJT和MOS管是最流行最常见的元器件,但是在一些相对较高电流的...
IGBT行业需求增长: IGBT广泛应用于工业、汽车、通信及消费电子领域,主要电压应用范围在600V到1200V之间。由于经济的飞速发展,我国能源需求大...
我们都知道,IGBT发生短路时,需要在10us或者更短的时间内关闭IGBT,在相同的短路能耗下可以由其他参数来进行调节,如栅极电压VGE,母线电压等,但...
电路图其实就是最经典的Marx电路,通过并联充电,串联放电来实现电压的逐级累加,理论上可以获得无穷大的电压。开关这里选的全是1100V的IGBT,并且用...
诸如高环境温度、暴露于机械冲击以及特定的驱动循环等环境条件,要求对IGBT功率模块的机械和电气特性给予特别的关注,以便在整个使用寿命期间能确保其性能得到...
2022-08-06 标签:IGBT 2330 0
IGBT 和 GaN、SiC 和硅 FET 的统一视图和价格-性能分析
在设计电力电子设备时,我们需要评估所有业务需求和技术要求,以优化设计周期时间,从而以更低的成本实现更高性能的系统。这是DiscoverEE及其创始人 S...
功率转换电路中的晶体管的作用非常重要,为进一步实现低损耗与应用尺寸小型化,一直在进行各种改良。SiC功率元器件半导体的优势前面已经介绍过,如低损耗、高速...
2022-07-26 标签:IGBT晶体管SiC-MOSFET 2591 0
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