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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
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变频器在设计上不断的推陈出新,为了提高功率密度并降低成本,工程师更是绞尽脑汁。IGBT(绝缘栅型双极性晶体管)在变频器里属于关键器件,其选型和损耗直接关...
2022-06-29 标签:IGBT 1.4万 0
一般,我们是通过阅读器件厂商提供的datasheet来了解一个器件的参数特性,但是datasheet中所描述的参数是在特定的外部参数条件测试得来的,因此...
通用变频器应用在大惯量负载时,短时间内的减速会使母线电压升高,由于成本原因通用变频器没有主动前端无法将能量回馈电网,理论上如果电容容量够大,可以先存储能...
BOS大功率逆变模块主要由IGBT(绝缘栅双极型晶体管)、开关电源、散热器、电解、吸收电容、驱动板、铜板等部件相互连接组成,该模块组采用IGBT逆变技术...
大家好,今天我们聊一下IGBT模块内部结构。IGBT作为国家战略性新兴产业,在轨道交通、智能电网、工业节能、电动汽车与新能源装备等领域应用极为广泛,被誉...
大家好,最近工作比较忙,更新文章有点慢,说实话写篇自己还算看得过去的文章确实挺费时间,为了保证每周至少一篇文章,找点简单的话题聊聊吧。
大家好,这期我们再聊一下IGBT的开关损耗,我们都知道IGBT开关损耗产生的原因是开关暂态过程中的电压、电流存在交叠部分,由于两者都为正,这样就会释放功...
东芝半导体推出具备低功耗节能属性的IGBT器件GT30N135SRA
IGBT因其优异的电气属性和性价比在业界被广泛应用,特别是在工业控制领域几乎随处可见IGBT的身影。作为功率半导体的家族分支,不仅融合了BJT和MOSF...
通常情况下,为了测试器件的动态特性,我们都会搭建一个通用的双脉冲测试平台。测试平台的功率回路部分包含了叠层母排、母线电容、待测功率器件和驱动电路。双脉冲...
大家好,前段时间在知乎上看到有个网友问:“在大功率变频器应用中,我们常用双脉冲测试评估器件的动态特征,在实际中有可比性吗?”感觉这个问题提的比较好,也是...
IGBT 和 SiC 电源开关有哪些市场和应用? 高效的电源转换在很大程度上取决于系统中使用的功 率半导体器件。由于功率器件技术不断改进,大功率应 用的...
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