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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

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BOS大功率逆变模块的组成部分及功能特点

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脉冲器件开通关断会引起什么问题

IGBT作为一种功率开关，从门级信号到器件开关过程需要一定反应时间，就像生活中开关门太快容易挤压手一样，过短的开通脉冲可能会引起过高的电压尖峰或者高频震荡问题。

2022-05-24 标签：二极管数据发生器 2990 0

如何使用负压作为IGBT关断

总结一下，对于米勒电流引起的寄生导通，在0V关断的情况下，可以使用米勒钳位来抑制。当出现非米勒电流引起的寄生导通时，如果不想减慢开关速度增加损耗的话，加...

2022-05-12 标签：电阻 IGBT 米勒电容 1.0万 0

IGBT驱动优化的底层逻辑是什么

——驱动优化的底层逻辑是什么?

2022-04-29 标签：电流 IGBT 驱动芯片 2901 0

一文详解IGBT模块内部结构

大家好，今天我们聊一下IGBT模块内部结构。IGBT作为国家战略性新兴产业，在轨道交通、智能电网、工业节能、电动汽车与新能源装备等领域应用极为广泛，被誉...

2022-04-20 标签：模块 IGBT 内部结构 2.3万 0

IGB门极开通电压尖峰的机理分析及仿真验证

大家好，最近工作比较忙，更新文章有点慢，说实话写篇自己还算看得过去的文章确实挺费时间，为了保证每周至少一篇文章，找点简单的话题聊聊吧。

2022-04-20 标签：电压 IGBT 仿真验证 3303 0

IGBT开关损耗产生的原因与PiN二极管的正向恢复特性

大家好，这期我们再聊一下IGBT的开关损耗，我们都知道IGBT开关损耗产生的原因是开关暂态过程中的电压、电流存在交叠部分，由于两者都为正，这样就会释放功...

2022-04-19 标签：二极管 IGBT 开关损耗 4758 0

东芝半导体推出具备低功耗节能属性的IGBT器件GT30N135SRA

IGBT因其优异的电气属性和性价比在业界被广泛应用，特别是在工业控制领域几乎随处可见IGBT的身影。作为功率半导体的家族分支，不仅融合了BJT和MOSF...

2022-04-19 标签：IGBT 家电东芝半导体 2580 0

双脉冲测试能反映IGBT实际运行过程中电应力吗？

通常情况下，为了测试器件的动态特性，我们都会搭建一个通用的双脉冲测试平台。测试平台的功率回路部分包含了叠层母排、母线电容、待测功率器件和驱动电路。双脉冲...

2022-04-17 标签：脉冲 IGBT 7107 0

栅极电感对驱动电流的影响

驱动设计时需要选取合适的驱动电流，太小驱动能力不足，增加功率器件损耗，太大可能引起开通振荡。

2022-05-01 标签：IGBT 功率器件驱动电流 4243 0

双脉冲测试是否能够反映器件在真实换流中的各种电应力

大家好，前段时间在知乎上看到有个网友问：“在大功率变频器应用中，我们常用双脉冲测试评估器件的动态特征，在实际中有可比性吗？”感觉这个问题提的比较好，也是...

2022-04-15 标签：测试逆变器 IGBT 4549 0

IGBT和SiC电源开关知识科普

IGBT 和 SiC 电源开关有哪些市场和应用? 高效的电源转换在很大程度上取决于系统中使用的功率半导体器件。由于功率器件技术不断改进，大功率应用的...

2022-03-18 标签：IGBT 电源开关 SiC 7839 0

为什么MOSFET和IGBT特性不同？

我们知道本征半导体是不导电的，好比纯水的导电性不强，想要它导电，就掺上杂质。让水导电就给他加盐，产生离子，让半导体导电，就掺上三价或者五价元素，形成空穴...

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RC-IGBT 技术带来更多动力

多年来，市场对功率半导体的需求一直在增加，需要功率转换系统的小型化、成本的降低和性能的提高。这种性能增益是通过增加给定封装尺寸的输出功率来实现的，这与系...

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MOSFET和IGBT之间的有哪些异同点

然而，在实际应用中，工程师们都会遇到一个相同的困惑：器件的选型着实令人头疼。对此，小编感同身受。今天，我们就一起来看看MOSFET和IGBT之间的有哪些...

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基于HT45F,BS86D的低零件成本单管电磁炉解决方案

低零件成本单管电磁炉 No.WAS-2041 • Induction Cooker Flash MCU ( ❋ 本⽅案使⽤项⽬ △ 其他相关项⽬ )...

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浅谈功率半导体烧结贴片技术

银（Ag）/铜（Cu）压力烧结（见图 1）是一种应用于粉末材料（即纳米颗粒）的热处理工艺，以提供更高的强度、完整性和导电性。

2021-11-12 标签：热敏电阻 IGBT 功率半导体 3312 0

仿真看世界之650V混合SiC单管的开关特性

英飞凌最近推出了系列650V混合SiC单管（TO247-3pin和TO-247-4pin）。用最新的650V/SiC/G6/SBD续流二极管，取代了传统...

2021-08-31 标签：IGBT SiC 英飞凌科技 2144 0

IGBT模块及散热系统的等效热模型

本文对IGBT模块的等效热路模型展开基础介绍，所述方法及思路也可用于其他功率器件的热设计。

2021-08-20 标签：散热器 IGBT 散热系统 7896 0

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