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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

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为什么MOSFET和IGBT特性不同？

我们知道本征半导体是不导电的，好比纯水的导电性不强，想要它导电，就掺上杂质。让水导电就给他加盐，产生离子，让半导体导电，就掺上三价或者五价元素，形成空穴...

2022-03-18 标签：MOSFET 半导体 IGBT 1766 0

RC-IGBT 技术带来更多动力

多年来，市场对功率半导体的需求一直在增加，需要功率转换系统的小型化、成本的降低和性能的提高。这种性能增益是通过增加给定封装尺寸的输出功率来实现的，这与系...

2022-02-22 标签：电机 IGBT 功率半导体 3749 0

MOSFET和IGBT之间的有哪些异同点

然而，在实际应用中，工程师们都会遇到一个相同的困惑：器件的选型着实令人头疼。对此，小编感同身受。今天，我们就一起来看看MOSFET和IGBT之间的有哪些...

2022-01-01 标签：MOSFET IGBT 半导体器件 1.3万 0

东芝IGBT GT30J110SRA在家电产品中的应用

提及IGBT应该每一个电子工程师都不会陌生，IGBT是由BJT（双极晶体管）和MOS（绝缘栅场效应晶体管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。从功...

2021-12-22 标签：电路 IGBT 晶体管 1964 0

基于HT45F,BS86D的低零件成本单管电磁炉解决方案

低零件成本单管电磁炉 No.WAS-2041 • Induction Cooker Flash MCU ( ❋ 本⽅案使⽤项⽬ △ 其他相关项⽬ )...

2021-12-08 标签：单片机 IGBT 电磁炉 7876 1

浅谈功率半导体烧结贴片技术

银（Ag）/铜（Cu）压力烧结（见图 1）是一种应用于粉末材料（即纳米颗粒）的热处理工艺，以提供更高的强度、完整性和导电性。

2021-11-12 标签：热敏电阻 IGBT 功率半导体 3258 0

仿真看世界之650V混合SiC单管的开关特性

英飞凌最近推出了系列650V混合SiC单管（TO247-3pin和TO-247-4pin）。用最新的650V/SiC/G6/SBD续流二极管，取代了传统...

2021-08-31 标签：IGBT SiC 英飞凌科技 2132 0

IGBT模块及散热系统的等效热模型

本文对IGBT模块的等效热路模型展开基础介绍，所述方法及思路也可用于其他功率器件的热设计。

2021-08-20 标签：散热器 IGBT 散热系统 7847 0

如何理解FIT和MTBF

如果一个系统由50个器件组成，每个器件的失效率均为250fit，则该系统的MTBF为：1/（50*250fit）=80000h（小时）。

2021-08-19 标签：英飞凌 IGBT MTBF 5449 0

大功率晶闸管参数解析之正向特性

对于本文所述的半导体，该值大约是一半的断态重复峰值电压。这对100fit（单位时间间隔内的失效次数；1fit=每小时失效1小时失-9次，即，器件工作10...

2021-08-13 标签：大功率晶闸管 IGBT 4608 0

电机驱动中氮化镓技术的应用前景

通过采用电子马达驱动器或“电压源逆变器”可实现对电机的增强型控制，此类驱动器通常会产生可变频率和幅值的三相交流电来控制马达的速度、扭矩和方向。驱动器采用...

2021-07-04 标签：电机驱动 IGBT 栅极 2994 0

运动控制设备的具体表现

无刷直流电机提供稳健性和可靠性，并且易于构建和控制。无刷直流电机是一种将直流电能转化为机械能的电动机。它使用磁场来产生运动。由永磁转子和旋转磁场定子组成...

2021-06-26 标签：PWM IGBT 数字信号处理器 2189 0

IGBT工作原理

IGBT是—种场控器件，它的开通和关断由栅极和发射极间电压UGE决定，当栅射电压UCE为正且大于开启电压UCE（th）时，MOSFET内形成沟道并为PN...

2021-06-25 标签：MOSFET IGBT pnp 4.1万 0

ACPL-P349/W349评估板特性 IGBT或SiC/GaN MOSFET栅极驱动器配置分析

本手册概述了 ACPL-P349/W349 评估板的特性以及评估隔离式 IGBT 或 SiC/GaN MOSFET 栅极驱动器所需的配置。需要目视检查以...

2021-06-23 标签：MOSFET IGBT 栅极驱动器 4065 0

IGBT的内部寄生参数介绍

关于IGBT的内部寄生参数，产品设计时对IGBT的选型所关注的参数涉及到的寄生参数考虑的不是很多，对于其标称的电压、电流和损耗等关注的比较多。当然针对不...

2021-06-12 标签：IGBT 寄生参数 1.2万 0

又是碳化硅（SiC)，它到底好在哪里？

碳化硅和氮化镓技术的“甜区”在哪里？

2021-06-02 标签：MOSFET 逆变器 IGBT 3008 0

IGBT发展简史

IGBT3的出现，又在IGBT江湖上掀起了一场巨大的变革。IGBT3的元胞结构从平面型变成了沟槽型。

2021-06-02 标签：IGBT 6685 0

什么原因导致了静态雪崩击穿？

IGBT关断时，如果关断过快，di/dt过大会导致Vce电压过大超过断态电压Uces时就有可能导致静态雪崩击穿。

2021-05-15 标签：IGBT 雪崩击穿 5770 0

双脉冲开关的特性是什么，IGBT开通和关断过程描述

在IGBT开关过程中通常用开通延迟td（on）、关断延迟td（off）、上升时间tr和下降时间tf来进行描述。

2021-05-06 标签：脉冲 IGBT 8388 0

通过IGBT简化裸片温度计算方法优化应用系统性能

大多数半导体组件结温的计算过程很多人都知道。通常情况下，外壳或接脚温度已知。量测裸片的功率耗散，并乘以裸片至封装的热阻（用theta或θ表示），以计算外...

2021-03-15 标签：半导体 igbt 晶体管 2084 0

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