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标签 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
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分析和比较驱动电路结构和功率回路耦合特性对于并联IGBT均流特性的影响
本文作者北京交通大学电气工程学院穆峰,刘宜鑫,贾静雯,郝欣,杨勇,黄先进 摘要:随着电力电子应用越发趋于高压与高功率密度,单个模块已经无法满足其需求,功...
我们都知道电力电子装置中换流回路的杂散电感对器件的开关过程影响非常大,如果前期设计不注意,后期麻烦事会非常多,例如:器件过压高、振荡严重,EMI超标等。...
功率半导体器件种类众多,按集成度可分为功率IC、功率模块和功率分立器件三大类,其中功率分立器件中MOSFET、功率二极管、IGBT占比较大,是最主要的品类。
前言:臻驱科技(上海)有限公司(以下简称臻驱科技)是一家以研发、生产和销售新能源车动力总成及其功率半导体模块为核心业务的高科技公司。2 019 年底,臻...
2020-11-24 标签:IGBT 2063 0
IGBT是电压控制型器件,它只有开关特性(通和断两种状态),没有放大特性。由IGBT等效电路可知,它是以晶体管为主导元件,以MOS管为驱动元件的达林顿结构。
IGBT在工作的时候,一般是工作在饱和区的,就是下图中的红色区域。为什么?很容易理解,在这个区域Vce随着Ic的变化非常小,因此损耗也就很小,功率半导体...
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