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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

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MC33GD3100高档单路IGBT栅极驱动器

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2019-05-01 标签：驱动器 IGBT 4364 0

变频器过电流跳闸的特性

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2018-11-10 标签：变频器电动机 IGBT 5583 0

变频器内部故障排查实例分析

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2018-11-01 标签：变频器 IGBT 9337 0

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2018-11-01 标签：IGBT 栅极电阻 2.6万 0

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Littelfuse专为电机控制和逆变器设计的IGBT模块，有何特点

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IGBT封装失效的机理是什么？

功率器件的可靠性是指在规定条件下，器件完成规定功能的能力，通常用使用寿命表示。由于半导体器件主要是用来实现电流的切换，会产生较大的功率损耗，因此，电力电...

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