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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

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超软IGBT续流二极管具备行业领先的低损耗特性

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MOS器件深度解析 MOS器件有哪些重要特性

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适用于大功率动力马达逆变器的IGBT模块

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2018-06-12 标签：电动汽车 IGBT 7670 0

一文解析变频器IGBT模块的静态测量

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通常情况下，为了防止出现寄生IGBT通道的情况发生，国内通常有两种解决办法。第一个办法是为配置添加门极和发射极之间的电容，第二是通过使用负门极驱动。如果...

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一文解读IGBT模块的原理及测量判断方法

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2018-05-18 标签：场效应管 igbt 1.5万 0

SiC材料在牵引系统中的应用

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教你如何检测IGBT管好坏的方法

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