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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

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2024-02-26 标签：电容器二极管 IGBT 1.3万 0

MOS器件深度解析 MOS器件有哪些重要特性

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采用2SD315AI-33模块实现高性能的IGBT驱动保护电路的设计

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TPAK封装IGBT模块在新能源电机控制器上的应用

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基于IGBT器件的大功率DC/DC电源技术方案

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脉冲变压器怎样组成IGBT驱动？快速检查IGBT元器件损坏的方法

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igbt单管和igbt模块的区别 igbt工作原理和作用

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igbt和mos管怎么区分 IGBT和MOS管是两种不同类型的半导体器件，用途广泛，在各种电子设备中都会使用。虽然它们有一些相似之处，但也存在一些显著的...

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一文解析杂散电感存储的磁场能量

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浅谈功率半导体的技术与未来产业发展

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如何理解IGBT的四种安全工作区（SOA）？

最近和一些EE工程师聊到IGBT的技术问题，聊的过程中发现，他们最感兴趣的问题大多是关于功率器件极限能力的评估方法，因为这些问题直接关系到了系统的可靠性。

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2023-02-28 标签：晶闸管 IGBT IGCT 1.2万 0

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