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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一种双极性功率半导体器件,由BJT(双极型三极管)和MOS管复合而成,兼...
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什么是IGBT?如何使用此模块实现“双面水冷”,IGNT未来的发展趋势又是如何?
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设计开关电源要选择合适的元器件,元器件多种多样,要如何选,元器件的优缺点都是怎么样的就是本节课程要跟大家讲解的。
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