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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
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大研智造 全球碳中和下IGBT功率模块发展与激光锡焊方案全解
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新品 | 1200A 4500V IGBT模块FZ1200R45HL4和FZ1200R45HL4_S7
新品1200A4500VIGBT模块FZ1200R45HL4和FZ1200R45HL4_S7知名的IHVB4.5kV单开关IGBT模块已采用我们最新一代...
真空回流焊炉/真空焊接炉——新能源汽车的IGBT模块封装技术
由于新能源的流行,加上新能源汽车对于高电压需求越来越大,IGBT成为了产品发展的焦点。今天我们就来着重探讨一下新能源汽车的IGBT模块封装技术。
新品 | 采用IGBT7的CIPOS™ Maxi 10-20A 1200V IPM
新品采用IGBT7的CIPOSMaxi10-20A1200VIPM高性能CIPOSMaxi转模封装IPMIM12BxxxC1系列基于新型1200VTRE...
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