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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
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11月22日,在智光电气2024年度供应链高峰论坛上,青铜剑技术凭借在客户端的优异表现,喜获智光电气颁发的“质量先锋奖”。 青铜剑技术的高性能IGB...
英飞凌推出新型CIPOS Maxi 10-20A 1200V IPM
高性能CIPOS Maxi转模封装IPM IM12BxxxC1系列基于新型1200V TRENCHSTOP IGBT7和快速二极管Emcon 7技术。由...
大研智造 全球碳中和下IGBT功率模块发展与激光锡焊方案全解
2015年12月达成的《巴黎协定》为全球应对气候变化行动做出安排,众多国家和地区出台碳达峰和碳中和政策目标。我国提出2030年碳排放达峰、2060年实现...
当IGBT功率器件模块组装完成后,就是进入最后的封装外壳组装工序了。这个工序需要在外壳边缘涂上凝胶层,然后再把IGBT模块放置在外壳内,最后采用螺丝将外...
来源:上海林众电子科技有限公司 2024年11月11日,上海林众电子科技有限公司(以下简称林众电子)研发及智能质造中心正式启用。其位于上海市松江区,占地...
近日,2024中国电力电子与能量转换大会暨中国电源学会第二十七届学术年会及展览会(CPEEC & CPSSC 2024)在西安隆重召开。会议通过...
中国IGBT芯片细分应用领域分析 高压IGBT打破国外技术垄断
来源: 电力电子技术与应用 1、中国 IGBT芯片 应用领域:三大类产品的应用场景 IGBT(绝缘栅双极型晶体管)是电力控制和电力转换的核心器件,是由B...
在现代电子技术中,功率半导体器件是实现电能转换和控制的关键组件。MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)和IGBT(绝缘栅双极晶体管)是两种广泛使用...
IGBT 和 MOSFET 驱动器-延展型 SO-6 封装,实现紧凑设计、快速开关和高压
最新 IGBT 和 MOSFET 驱动器 器件峰值输出电流高达 4 A 工作温度高达 +125 °C,传播延迟低至 200 ns Vishay 推出两款...
采用IGBT5.XT技术的PrimePACK™为风能变流器提供卓越解决方案
鉴于迫切的环境需求,我们必须确保清洁能源基础设施的启用,以减少碳排放对环境的负面影响。在这一至关重要的举措中,风力发电技术扮演了关键角色,并已处于领先地...
森国科近期推出的650V/60A IGBT(型号:KG060N065LD-R),凭借其业界领先的低传导损耗和高速开关性能,在电力电子领域引起了广泛关注。
2024北京国际风能大会暨展览会(CWP2024)在北京顺利拉开帷幕。大会以“构筑发展新格局·践行时代新使命”为主题,有近1000家企业参展,聚焦风电全...
IGBT还是SiC?英飞凌新型混合功率器件助力新能源汽车实现高性价比电驱
如何设计更高效的牵引逆变器使整车获得更长的续航里程一直是研发技术人员探讨的最重要话题之一。高效的牵引逆变器需要在功率、效率和材料利用率之间取得适当的平衡。
新品 | 1200A 4500V IGBT模块FZ1200R45HL4和FZ1200R45HL4_S7
新品1200A4500VIGBT模块FZ1200R45HL4和FZ1200R45HL4_S7知名的IHVB4.5kV单开关IGBT模块已采用我们最新一代...
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