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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

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如何使用万用表测试 IGBT

通过目视检查、测量电气参数、评估栅极驱动和开关特性以及在应力条件下进行测试，可以识别潜在故障。然而，这种万用表测试只能提供有关 IGBT 功能的有限信息...

2023-10-09 标签：万用表测试 IGBT 2058 0

碳化硅SiC器件到底有多强

与目前广泛使用的Si材料相比，KeepTops的碳化硅材料具有更高的导热性，这决定了其高电流密度特性；其更高的带隙宽度决定了SiC器件的高击穿场强和高工...

2023-10-08 标签：MOSFET IGBT SiC 798 0

IGBT的驱动电路及短路保护

绝缘栅双极晶体管（以下简称IGBT）是一种复合半导体器件，融合了MOSFET的快速开关能力、高频操作、高输入阻抗、简单的驱动电路和有利的热特性等优点，同...

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逆变器IGBT模块的使用分析，各项技术指标

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如何用万用表测试MOSFET

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IGBT在电磁炉中的应用及解决方案

分立式 IGBT 是现代基于逆变器的电磁烹饪产品的首选电源开关。随着能源成本持续上升以及消费者对更小型烹饪解决方案的需求增加，IGBT 技术必须不断发展...

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IGBT静态参数测试系统，可提供IV、CV、跨导等丰富功能的综合测试，具有高精度、宽测量范围、模块化设计、轻松升级扩展等优势，旨在全面满足从基础功率二极...

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意法半导体1350V新系列IGBT晶体管提高耐变性和能效

2023 年 9 月 11 日，中国 – 意法半导体新系列 IGBT晶体管将击穿电压提高到 1350V，最高工作温度拓宽到175°C，更高的额定值确保晶...

2023-09-19 标签：意法半导体 IGBT 晶体管 301 0

什么是变频器（VFD）？

IGBT 通常不用于变频器整流器前端。变频器整流器通常使用 SCR 或类似的较慢开关组件。SCR 的优势在于，其设计更简单，在输入电压质量可变的情况下更...

2023-09-19 标签：变频器逆变器 IGBT 2988 0

新款600 V单管IGBT，可在电源应用中实现出色效率

基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia (安世半导体)今日宣布，将凭借600 V器件系列进军绝缘栅双极晶体管(IGBT)市场，而30A NG...

2023-09-19 标签：电源半导体 IGBT 416 0

IGBT的应用场景与应用实例

自20世纪80年代末开始工业应用以来，IGBT（绝缘栅双极晶体管）经历了快速发展。它不仅取代了工业应用中的MOS、GTR等器件，也逐渐取代了消费电子应用...

2023-09-18 标签：MOSFET IGBT 晶体管 2601 0

示波器探头在半导体器件动态测量的应用

在能源问题日益突出的现代，以IGBT为代表的功率半导体器件以其优良的能效转换性能广发应用于功率电子领域。正确的IGBT测试技术,不仅能准确的测量IGB...

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IGBT器件栅极电压波形振荡的原因？

2023-09-16 标签：电压 IGBT 器件 3321 0

IGBT的密勒电容随着直流母线电压的大小怎样变化？

IGBT的密勒电容随着直流母线电压的大小怎样变化？ IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种半导体器件，广泛...

2023-09-18 标签：半导体 IGBT 晶体管 1127 0

高效晶体管如何推动组串式光伏逆变器发展

欧盟提出力争在2030年前将碳排放水平降低62%。也就是说，要在7年时间内实现这一目标。显然，全球朝着可再生能源迈进已成必然趋势，全世界都在探索如何利用...

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搭载1200V P7芯片的PrimePACK™刷新同封装功率密度

继英飞凌1200VIGBT7T7芯片在中小功率模块产品相继量产并取得客户认可后，英飞凌最新推出了适用于大功率应用场景的1200VIGBT7P7芯片，并将...

2023-09-14 标签：英飞凌芯片封装 828 0

IGBT 晶体管选型解析

选型IGBT（绝缘栅双极晶体管）是电子设备设计中的重要任务，因为正确的IGBT选择对于设备性能和可靠性至关重要。本文将介绍如何选择适合您应用的IGBT，...

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什么是IGBT模块（IPM Modules）

IGBT模块的起源可以追溯到20世纪80年代，当时日本的电子工程师们致力于克服传统功率器件的局限性，尤其是普通双极晶体管和场效应晶体管（FET）。IGB...

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全球新能源汽车IGBT模块市场分析

新能源汽车（NEV）的绝缘栅双极晶体管（IGBT）模块市场正在全球范围内迅速增长。在北美（NA）地区，电动汽车和混合动力汽车的不断采用推动了对IGBT模...

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第一代、第二代和第三代半导体知识科普

材料领域中，第一代、第二代、第三代没有“一代更比一代好”的说法。氮化镓、碳化硅等材料在国外一般称为宽禁带半导体。将氮化镓、氮化铝、氮化铟及其混晶材料制...

2023-09-12 标签：半导体 IGBT SiC 4454 0

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