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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

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BOSHIDA模块电源的分类（二）

变频器电源主要用于交流电机的变频调速，其在电气传动系统中占据的地位日趋重要，已获得巨大的节能效果。变频器电源主电路均采用交流-直流-交流方案。工频电源通...

2023-03-06 标签：变频器 IGBT 模块电源 589 0

MOS管和IGBT管到底有什么区别

在电子电路中，MOS管和IGBT管会经常出现，它们都可以作为开关元件来使用，MOS管和IGBT管在外形及特性参数也比较相似。那为什么有些电路用MOS管，...

2023-03-03 标签：IGBT MOS 开关元件 1498 0

中国IGBT芯片行业市场行情走势及成本结构分析

IGBT芯片主要成本由原材料成本、制造成本及人工费用等构成。

2023-03-03 标签：芯片 IGBT 2602 0

双面散热汽车IGBT器件热测试评估方式创新

封装结构的创新使得双面散热（double-sided cooling， DSC）功率模块比传统单面散热（single-sided cooling， SS...

2023-03-02 标签：IGBT 散热功率模块 3931 0

上海林众电子智能质造中心车墩项目基地顺利奠基

2023年2月26日上午，上海林众电子科技有限公司智能质造中心项目基地开工仪式隆重举行。林众电子本次建设的智能质造中心项目位于上海市松江区，土建投资3....

2023-03-01 标签：半导体 IGBT 碳化硅 861 0

超声波焊接电源系统发生器设计

超声波焊接电源系统发生器采用新型的复合频率跟踪策略,实现逆变输出功率因数接近为1,以IGBT功率器件构成的全桥移相功率控制方式,超声波焊接电源系统发生器...

2023-03-01 标签：发生器超声波 IGBT 636 0

2023年全球IGBT供需缺口将收窄至-2.5%

近年全球IGBT业者产能增长情况，依中国与国际业者分为两个阶段，2021~2023年由中国业者主导，在IGBT芯片自给率低，急需国产替代的趋势下。

2023-02-28 标签：IGBT 双极晶体管 1021 0

翠展微电子全面加强体系建设筑牢高质量发展基石

翠展微电子全面加强体系建设；继往开来开拓进取奋勇争先据DIGITIMES Research统计与分析，2022年IGBT因电动...

2023-02-24 标签：IGBT 认证翠展微电子 720 0

上能电气+安森美联合实验室揭牌围绕半导体器件应用展开高水平合作

2月22日，上能电气与安森美半导体（onsemi）联合实验室揭牌成立。安森美亚太区高级副总裁David Chow、中国区销售副总裁Roy Chia，上能...

2023-02-24 标签：安森美 IGBT MOS 1011 0

IGBT是什么材料

IGBT是什么材料 IGBT的主要材料有外部为封装用的陶瓷；内部件是银丝、黄金镀膜和透明硅胶等。IGBT是绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)...

2023-02-22 标签：IGBT 5868 0

赛晶打造精品国产IGBT模块，国产代替进口的进程加速

1700V是IGBT的主流电压等级之一，广泛应用于风力发电、无功补偿（SVG）、智能电网，以及中高压变频器等领域。

2023-02-15 标签：变频器 IGBT 2045 0

国产功率器件供应商无锡新洁能荣获宁波德业年度“战略供应商”称号

近日，无锡新洁能荣获重要客户宁波德业年度“战略供应商”称号。在过去的一年中，新洁能凭借优秀的产品质量、先进的产品技术水平、稳定的产能和交付周期与宁波德...

2023-02-14 标签：MOSFET IGBT 功率器件 1435 0

车规功率器件量价齐升市场规模已超过1000亿元

按技术特点与功能的不同，功率半导体器件可以分为二极管、晶闸管、晶体管等产品。其中，晶体管包含BJT、MOSFET、IGBT等热门品线，总体占比超过70%...

2023-02-14 标签：MOSFET IGBT 功率器件 836 0

什么是IGBT IPM（Intelligent Power Module）？

本文的关键要点・IPM是“Intelligent Power Module”的缩写，IPM是集成了IGBT、MOSFET等元器件单体（分立产品）与驱动电...

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IGBT单管与IGBT模块的区别是什么

　　IGBT单管是一种N沟道增强绝缘栅双极晶体管结构，N+区称为源极区，连接到其上的电极称为源极区。P+区域称为漏极区。器件的控制区域是栅极区域，连接到...

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浅谈MOS管开通过程的米勒效应及应对措施

在现在使用的MOS和IGBT等开关电源应用中，所需要面对一个常见的问题 — 米勒效应，本文将主要介绍MOS管在开通过程中米勒效应的成因、表现、危害及应对方法。

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通过双脉冲测试评估MOSFET的反向恢复特性-什么是双脉冲测试？

我们开设了Si功率元器件的新篇章——“评估篇”。在“通过双脉冲测试评估MOSFET的反向恢复特性”中，我们将通过双脉冲测试来评估MOSFET体二极管的反...

2023-02-10 标签：MOSFET IGBT 体二极管 2511 0

IGBT的主要应用领域有哪些

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由（Bipolar Junction Transi...

2023-02-09 标签：IGBT 晶体管半导体器件 1135 0

600V SJ-MOSFET：R60xxJNx系列

ROHM独有的超级结MOSFET产品PrestoMOS，运用ROHM独创的Lifetime控制技术优势，实现了极快*的反向恢复时间（trr），非常有助于...

2023-02-09 标签：二极管 MOSFET IGBT 697 0

新能源汽车持续增长，新能源充电桩遍地开花

是一款1200V、25A、FS工艺的6寸IGBT晶圆片；1200V壕沟和现场停止技术；低开关损耗；正温度系数；简单的平行技术。广泛应用在中等功率驱动器、...

2023-02-08 标签：新能源 IGBT 充电桩 587 0

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