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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

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新能源汽车持续增长，新能源充电桩遍地开花

是一款1200V、25A、FS工艺的6寸IGBT晶圆片；1200V壕沟和现场停止技术；低开关损耗；正温度系数；简单的平行技术。广泛应用在中等功率驱动器、...

2023-02-08 标签：新能源 IGBT 充电桩 587 0

IGBT门极驱动到底需不需要负压？

IGBT是一个受门极电压控制开关的器件，只有门极电压超过阈值才能开通。工作时常被看成一个高速开关，在实际使用中会产生很高的电压变化dv/dt和电流变化d...

2023-02-07 标签：IGBT 高速开关器件 1689 0

2021 ~ 2027年IGBT全球市场规模CAGR将达7%

绝缘闸双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor；IGBT)受益于新能源与碳中和发展趋势，2021~2027年市场规...

2023-02-07 标签：IGBT 晶体管 1036 0

功率半导体分立器件的分类及应用

按照器件结构，分为二极管、功率晶体管、晶闸管等，其中功率晶体管分为双极性结型晶体管（BJT）、结型场效应晶体管（JFET）、金属氧化物场效应晶体管（MO...

2023-02-07 标签：MOSFET IGBT 功率晶体管 1501 0

瑞萨电子推出一款全新栅极驱动IC——RAJ2930004AGM

RAJ2930004AGM可与瑞萨IGBT产品以及其它制造商的IGBT和SiC MOSFET器件共同使用。

2023-02-07 标签：逆变器 IGBT SiC 434 0

IGBT短路结温和次数

英飞凌IGBT模块开关状态下最高工作结温一般是150度，而IGBT7短时过载情况下的最高工作结温可达175度。

2023-02-06 标签：IGBT 开关状态工作结温 1037 0

IGBT模块上下桥怎么区分

IGBT模块上下桥怎么区分 igbt模块为什么做成上下桥在一起？因为IGBT在工作时由于他和整流桥的电流很大发热量也非常大所以需要装在一块大的散热片上来...

2023-02-06 标签：IGBT 7647 0

igbt电气符号图

igbt电气符号图 igbt电气符号图是指用于各种设备上，作为操作指示或用来显示设备的功能或工作状态的图形符号，例如：电气设备用图形符号、纺织设备用图形...

2023-02-06 标签：IGBT 8407 0

igbt驱动电路图

igbt驱动电路图典型的IGBT驱动电路如图为典型的IGBT驱动电路图。电路以混合IC?EXB840驱动模块和外围元器件组成。驱动信号输入接SPWM...

2023-02-06 标签：IGBT 1.9万 0

IGBT、SiC国产化率加速攀升碳化硅行业迎来快速发展机遇期

分 8 寸和 12 寸厂看，2022 年第四季度 8 寸晶圆厂的主力台积电、联电、世界先进、力积电和中芯国际的产能利用率预计分别下降到 97%/90%...

2023-02-03 标签：IGBT 晶圆代工 SiC 1697 0

瑞萨电子推出用于驱动EV逆变器的IGBT和SiC MOSFET——RAJ2930004AGM

瑞萨电子推出一款全新栅极驱动IC——RAJ2930004AGM，用于驱动电动汽车（EV）逆变器的IGBT（绝缘栅双极型晶体管）和SiC（碳化硅）MOSF...

2023-02-03 标签：逆变器 IGBT 瑞萨电子 503 0

碳化硅MOSFET驱动的干扰及延迟

硅IGBT与碳化硅MOSFET驱动两者电气参数特性差别较大，碳化硅MOSFET对于驱动的要求也不同于传统硅器件，主要体现在GS开通电压、GS关断电压、短...

2023-02-03 标签：MOSFET 电压 IGBT 1531 0

igbt工作原理和作用

igbt工作原理和作用 IGBT是绝缘栅双极型晶体管，是由双极型三极管和绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。兼有金氧半场效晶体...

2023-02-03 标签：IGBT 5899 0

什么是功率半导体？有哪些类型？

功率半导体有功率器件和功率IC，功率器件又包含二极管、晶体管和晶闸管，其中晶体管又可根据应用领域和制程可划分为绝缘栅双极型晶体管（IGBT）、MOSF...

2023-02-03 标签：IGBT 功率器件功率半导体 1.3万 0

功率半导体行业特点趋势及机遇挑战

作为电子系统中的基本单元，功率半导体是电力电子设备正常运行不可或缺的部件，应用场景广泛，且需求日益丰富。从行业技术和性能发展来看，功率半导体器件结构朝复...

2023-02-03 标签：电子系统 IGBT 功率半导体 1357 0

宽禁带半导体可以改进可再生能源设计吗

随着全球对能源生产与消费问题愈发重视，可再生能源解决方案已成为大家关注的焦点。更加频繁的极端天气事件等与气候变化相关的挑战迫使整个社会不得不重新思考其与...

2023-02-02 标签：IGBT 可再生能源宽禁带半导体 158 0

三菱电机推出新型SLIMDIP-Z功率半导体模块

三菱电机集团近日宣布，其新型SLIMDIP-Z功率半导体模块将于2023年2月发布，该模块具有30A的高额定电流，主要应用于家用电器逆变器系统。

2023-02-02 标签：逆变器 IGBT 功率半导体 1231 0

IGBT的模块温度循环及绝缘特性分析

随着我国武器装备系统复杂性提升和功率等级提升，对IGBT模块的需求剧增，IGBT可靠性直接影响装备系统的可靠性。选取同一封装不同材料陶瓷基板的IGBT模...

2023-02-01 标签：IGBT 场效应晶体管陶瓷基板 5169 0

三相逆变器的工作原理

IGBT是新能源汽车上应用极为广泛的一种功率半导体元件，具有高电压、大电流、高频率、低导通压降等特点。其本质的作用是相当于一个电子开关，工作原理...

2023-01-31 标签：新能源汽车 IGBT 三相逆变器 4774 0

第三代半导体测试的突破 — Micsig光隔离探头

第三代半导体碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）是近几年新兴的功率半导体，相比于传统的硅（Si）基功率半导体，氮化镓和碳化硅具有更大的禁带宽度，更高的临界...

2023-01-31 标签：半导体 IGBT SiC 911 0

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