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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
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翠展微宣布完成近亿元A轮融资 用于新建车规级IGBT模块产线
2022年9,翠展微对外宣布完成近亿元A轮融资,本轮融资由辰峰资本领投,天龙电子和重元纳星战略投资。本轮募集的资金将用于新建2~3条车规级IGBT模块产...
IGBT 功率模块工作过程中存在开关损耗和导通损耗,这些损耗以热的形式耗散,使得在 IGBT 功率模块封装结构产生温度梯度。并且结构层不同材料的热膨胀系...
近几年来,电动汽车、电化学储能、以及光伏和风电等新能源市场的快速发展,市场对功率器件的需求量大增,特别是电动汽车的兴起,让IGBT常年处于供应紧张状态,...
中国国际智能产业博览会(简称“2022智博会”在重庆国际博览中心如期举行,是重庆市举办的第五届智博会。2022智博会延续“智能化:为经济赋能,为生活添彩...
IGBT模块中的底板发挥着形成导热通道、保证导热性能、增强模块机械性能的作用。底板材料一般用铜或者铝基碳化硅(AlSiC)。
适用于IGBT驱动器应用的2W DC-DC转换器输出电压引脚
MINMAX MAEU02-HI 系列是全新系列的隔离式 2W DC-DC 转换器模块,采用 SIP-7 封装,具有额定 5700VDC 的高 I/O ...
随着国家“双碳”目标政策(即“2030 碳达峰,2060 碳中和”)的出台以及碳中和政策正在从全球共识向全球行动推进,新能源行业(如新能源汽车,光伏及储...
碳化硅的市场需求(市值而不是数量)未来几年会有一个非常快速的增长,碳化硅贵很多,硅基器件不会那么快退出市场。碳化硅和800V是比较好的组合,但并不是一对...
IGBT模块的集电极电流增大时,VCE(-)上升,所产生的额定损耗亦变大。同时,开关损耗增大,原件发热加剧。因此,根据额定损耗,开关损耗所产生的热量,控...
事实上IGBT的结构与MOSFET十分接近,只是在其背面增加了N+和P+层,“+”意味着更高的自由电子或者空穴密度。从而IGBT在保留MOSFET优点的...
新能源汽车热度居高不下。近日,工信部总工程师田玉龙在国新办发布会上表示,今年以来,中国新能源汽车产业克服疫情多点散发等重重困难,实现了平稳快速发展。上半...
IGBT的驱动方法和MOSFET基本相同,只需控制输入极N一沟道MOSFET,所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET的沟道形成后,从P+基极注入到N一层...
现在主流400V架构中,电驱动的功率管主要采用IGBT器件,但IGBT耐压值通常不高于650V,基本不能用于800V架构。即便采用超级结工艺的高耐压IG...
IGBT芯片经历了一系列的迭代过程从PT技术向NPT技术,再到现在FS技术的升级,使芯片变薄,降低了热阻,并提升了Tj。IEGT、CSTBT和MPT的引...
根据相关报道,此次英飞凌IGBT产品瑕疵问题源于最新的制造工艺,在替代现有氮离子而注入最新工艺铝离子的过程中出现了不良现象。
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