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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

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全部技术资讯资料帖子视频产品方案企业 IGBT选型

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V0阻燃等级氮化硼高导热绝缘片

IGBT是一种晶体管结构，由MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）控制Bipolar双极晶体管的开关动作。发热量巨大的电子器件、芯片、MOSFET...

2024-06-18 标签：MOSFET IGBT 晶体管 433 0

全球IGBT企业TOP 55

中国IGBT发展的这20年，诞生了许多优秀的企业。除了比亚迪、斯达半导和中车时代电气，还有拥有国内第一条全内资8英寸专注功率器件晶圆生产线的华润微；全球...

2024-06-17 标签：半导体 IGBT 集成电路芯片 1740 0

陶瓷烧结厚膜电路：高功率IGBT、高频、坚固耐用

厚膜工艺通常涉及金属和介电浆料的丝网印刷。这种制造方法可以以经济的价格提供高质量的结果。

2024-06-17 标签：IGBT 陶瓷烧结 244 0

安森美推出最新的第 7 代 IGBT 模块，助力可再生能源应用简化设计并降低成本

在相同的外形尺寸和热阈值下，QDual3模块能提供高出10%的功率 2024 年6月12日-- 智能电源和智能感知技术的领先企业安森美(onsem...

2024-06-14 标签：安森美 IGBT 762 0

上能电气采用英飞凌IGBT7 EconoDUAL™3实现单机2MW储能变流器

英飞凌的TRENCHSTOPIGBT7，作为新一代IGBT技术的璀璨明珠，是大功率储能变流器PCS技术升级的推动力，它进一步提高了逆变器效率和功率密度。...

2024-06-14 标签：英飞凌 IGBT 变流器 1105 0

安森美发布高功率密度IGBT模块，助力能源系统优化

在智能电源和感知技术领域，美国纳斯达克上市的安森美公司（onsemi，股票代码：ON）再次展现其技术实力。近日，该公司正式发布了第7代1200VQDua...

2024-06-12 标签：安森美 IGBT 功率模块 955 0

安森美发布第7代1200VQDual3绝缘栅双极晶体管(IGBT)功率模块

近日，智能电源和智能感知技术的领先企业安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)，最新发布第 7代1200VQDual3 绝缘栅双极晶体管(IG...

2024-06-12 标签：安森美 IGBT 功率模块 623 0

牵引逆变器需求开始回暖，性能持续提升推动电气化进程

电子发烧友网报道（文/李宁远）近日，TrendForce发布了最新的全球电动车逆变器市场数据，数据显示，因受电动车传统淡季影响，2024年第一季全球牵引...

2024-06-08 标签：逆变器 IGBT SiC 8543 0

极海推出首款GHD3440电机专用栅极驱动器

栅极驱动器是低压控制器和高功电路之间的缓冲电路，用于放大控制器的控制信号，从而实现功率器件更有效的导通和关断。随着各种智能电子设备的不断普及和应用，...

2024-06-07 标签：电机 IGBT 栅极驱动器 1.2万 0

测量IGBT的门级可以用低压探头吗?

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一种集成了MOSFET和双极型晶体管特性的功率半导体器件。在实际的工程应...

2024-06-06 标签：IGBT 低压探头 291 0

英飞凌携手上能电气，共绘储能新篇章

2024年6月，中国上海讯——近日，英飞凌宣布与上能电气股份有限公司达成合作，为上能电气提供业界领先的1200VEconoDUAL3功率模块，用于2MW...

2024-06-06 标签：英飞凌电气 IGBT 755 0

国产科学仪器走出去：武汉普赛斯IGBT静态参数测试系统出口国际市场

前言随着全球科技水平的提高和科学研究的深入，科学仪器成为各个国家和地区科研机构、高校和企业必不可少的工具。受益于全球第三代半导体产业跑马圈地扩张产能，测...

2024-06-05 标签：IGBT 功率器件 SiC 523 0

聚焦功率半导体测试 | 普赛斯仪表多款测试新品亮相中国光谷九峰山论坛

“聚势赋能共赴未来”，2024九峰山论坛暨中国国际化合物半导体产业博览会，已在中国武汉光谷圆满落下帷幕。此次活动作为化合物半导体产业领域规模最大、规格最...

2024-06-05 标签：IGBT SiC GaN 570 0

揽获殊荣！普赛斯仪表荣获“金翎奖”功率半导体领域2024年度优质供应商奖项

全球半导体技术的迅猛发展，畅通着能源产业的命脉。新能源时代，功率半导体成为中国半导体产业的名片之一。4月23日，CIAS2024功率半导体新能源创新发展...

2024-06-05 标签：可控硅 IGBT GaN 683 0

捷捷微电与晶能微电子深化合作，共绘半导体产业新篇章

近日，捷捷微电与总部位于杭州的浙江晶能微电子有限公司（简称“晶能”）在吉利科技大厦隆重签署战略合作协议。此举标志着双方在工控IGBT领域的合作将进一步加...

2024-06-03 标签：半导体 IGBT 捷捷微电 964 0

可降低功耗的内置SiC二极管的IGBT

在现代社会，工厂的工业产品生产活动和厂房的运转等都会消耗大量的能源。然而，近年来，全球众多国家和地区加快了实现碳中和的进程，这就要求各行各业的企业付出超...

2024-06-03 标签：IGBT 功率器件 SiC 1572 0

基本半导体推出了一种混合式IGBT（混合碳化硅分立器件）

传统电力电子应用中，IGBT的续流二极管一般以硅基FRD（快恢复二极管）为主，而硅基FRD的性能限制了IGBT的开通和关断行为的潜力，对开关损耗是很大的拖累。

2024-05-30 标签：IGBT 肖特基二极管碳化硅 1.2万 0

200亿，这里崛起一个半导体超级独角兽

来源：投资界近日，株洲中车时代半导体有限公司（简称“中车时代半导体”）宣布增资引入26位战略投资者及员工持股平台，金额为人民币 43.278亿元。据...

2024-05-30 标签：芯片半导体 IGBT 444 0

东芝12寸晶圆功率半导体厂完工，产能预计提升2.5倍

东芝透露，目前正致力于相关设备的安装，旨在确保在2024财年下半年实现量产。一旦全面投产，东芝功率半导体的主要产品MOSFET和IGBT的产量预计将达到...

2024-05-27 标签：东芝 IGBT 功率半导体 550 0

安赛思半导体和三福半导体签署战略合作协议

近日，合肥安赛思半导体有限公司和新加坡三福半导体科技有限公司（简称：三福半导体）成功签署战略合作备忘录，并举行了安徽大学与三福半导体联合实验室的揭牌仪式。

2024-05-23 标签：半导体 IGBT 功率器件 548 0

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IoT是Internet of Things的缩写，字面翻译是“物体组成的因特网”，准确的翻译应该为“物联网”。物联网（Internet of Things）又称传感网，简要讲就是互联网从人向物的延伸。
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