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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

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IGBT器件静态参数测试需要哪些仪器呢

IGBT器件静态参数测试需要哪些仪器呢？IGBT模组静态参数测试需要的仪器是一系列的

2021-11-16 标签：脉冲 IGBT 2387 0

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2021-12-10 标签：放大器 IGBT 工业 3107 0

基于UCC25800-Q1开环LLC 驱动器的隔离电源方案设计

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2021-12-09 标签：驱动器电源管理 IGBT 4790 0

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2021年11月4日-5日举办的2021年中国国际车规级功率半导体年会上,中科同志获得2021年度中国国际车规级功率器件封装服务类年度优质供应商奖。由...

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探究大功率IGBT模块ST20在风电中的应用

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季丰电子新增加高压IV Curve和高压热点定位，主要应用在MOS，SiC，IGBT等高压产品的失效分析，IV Curve扫描电压范围在±3000V，通...

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换流回路中的杂散电感会引起波形震荡，EMI或者电压过冲等问题。因此在电路设计的时候需要特别留意。本文给出了电路杂散电感的测量方法以及模块数据手册中杂散电...

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2021半导体产业风向标-《第三代半导体产业发展高峰论坛》

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