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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
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为何?因为FHA40T65A具备高可靠性,拥有反向并行的快恢复二极管,Trench Field Stop Ⅱ technology(拖尾电流非常短,出色...
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Fairchild大幅降低IGBT损耗,助力工业和汽车应用中效率的提升
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分板块来看,电网自动化及工业控制业务板块2022年1-9月实现主营业务收入138.20 亿元,较上年同期增长7.67%,其中用电、调控稳定类产品增长较快...
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