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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
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通用电气公司的一些工程师想探索一个简单的节能理念:让驱动电机到达预想转速就可以了。但这需要增加电子器件,以可变频率向电机的绕组输送功率,这在当时是不容易...
IGBT驱动光耦推荐专场(TLP350,TLP250,PC929,PC923)
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GTO、GTR、MOSFET和IGBT四种晶体管有何优点和缺点?
GTO、GTR、MOSFET和IGBT四种晶体管有何优点和缺点? GTO、GTR、MOSFET和IGBT常被用于功率电子器件中,各有强项和弱点,本文着重...
中国成功研制世界最大容量压接型IGBT 打破国外技术市场垄断
近日,由中车时代电气完成的“3600A/4500V压接型IGBT及其关键技术”通过中国电子学会的鉴定,被认定为世界上功率等级最高的压接型IGBT。这一成...
2018-01-06 标签:igbt 1.1万 0
LG旗下硅芯片公司Silicon Works宣布扩大半导体业务
据韩国科技媒体ETNews报道,多名业内人士透露,LG集团旗下子公司硅芯片有限公司(Silicon Works)日前宣布扩大其半导体业务,重点押注碳化硅...
从功能上来说,IGBT就是一个电路开关,用在电压几十到几百伏量级、电流几十到几百安量级的强电上的。(相对而言,手机、电脑电路板上跑的电电压低,以传输信号...
2018-03-19 标签:igbt 1.1万 0
功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心,主要用于改变电子装置中电压和频率、直流交流转换等。功率半导体细分为功率器件(分立器件的一支)和功率IC(...
2020-10-12 标签:IGBT 1.1万 0
LED开关电源高频化是其发展的方向,高频化使开关电源小型化,并使开关电源进入更广泛的应用领域,特别是在高新技术领域的应用,推动了高新技术产品的小型化、轻...
根据IGBT的等效电路图可知,若在IGBT的栅极G和发射极E之间加上驱动正电压,则MOSFET导通,这样PNP晶体管的集电极C与基极之间成低阻状态而使得...
2018-12-27 标签:IGBT 1.1万 0
目前IGBT封装主要采用DBC陶瓷基板,原因在于DBC具有金属层厚度大(一般为100~600um),具有载流大、耐高温性能好及可靠性高的特点,结合强度高...
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