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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

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5G基站给电源设计者带来什么新挑战

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青铜剑技术推出第二代多功能高精度脉冲信号发生器

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2020-07-04 标签：脉冲 IGBT IGBT驱动 1168 0

苦难与辉煌集成电路国产化之路（下）（SWOT分析法）

国产替代是个好机会。危机是资金投入特别大回报周期非常长，是集成电路行业最大的特点，可以坚持到最后企业就少了。

2020-07-02 标签：集成电路 gps IGBT 1.4万 0

在西方国家的限芯下我国汽车行业的芯片到底缺少多少

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用于IGBT浪涌保护的高压TVS二极管P6SMB600CA

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华大半导体发布国内首款车规级隔离型IGBT栅极驱动芯片

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士兰微发布2019年年报，IGBT和IPM产品同比增速40%

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多芯并联封装IGBT的缺陷以及失效先导的判据

绝缘栅双极晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT）是由双极型三极管（Bipolar Junction T...

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比亚迪IGBT 4.0技术怎么样

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国内IGBT技术实现供应链自主，打破国际垄断局面

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功率MOSFET和IGBT是做在0.1到1.5平方厘米的芯片上，它的密度是每平方毫米250.000个单元（50V功率MOS-FET）或者50.000单元...

2020-05-02 标签：IGBT 功率MOSFET 2932 0

IGBT模块的封装技术介绍

当焊接面很大时，因为焊接面的温度变形系数不同，所以在温度变化时，会产生焊接疲劳，直到脱焊。例如，不能使用这种焊接方法在铜底板上焊接大面积的陶瓷。

2020-05-02 标签：IGBT IGBT模块 9951 0

基于BARITT二极管的振荡机理详解

有些情况下，IGBT甚至二极管的拖尾电流也有可能发生振荡。芯片的内部工艺可能激发LC振荡（由半导体芯片和上述描述的杂散部分），这种激发的原理也被作PET...

2020-05-02 标签：二极管 IGBT 2687 0

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