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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
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1月17日消息,核力创芯近日完成首轮2.95亿元股权融资,企业增值逾13倍,标志着核力创芯在功率半导体质子辐照领域取得的进展和成绩得到资本市场的充分认可。
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如何利用快速开关的TRENCHSTOP™ 5 IGBT和SiC二极管搭建更小更轻的PFC
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英飞凌推出EiceDRIVER™ F3增强型系列栅极驱动器,为电力电子系统提供全面的短路保护
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专有的 Optoplanar 封装技术助力高级 2.5 A 输出光电耦合器
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2023年2月26日上午,上海林众电子科技有限公司智能质造中心项目基地开工仪式隆重举行。林众电子本次建设的智能质造中心项目位于上海市松江区,土建投资3....
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