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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

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Power Integrations推出紧凑、高效的SCALE-iDriver™ IC产品系列，可支持1700 V IGBT

美国加利福尼亚州圣何塞，2017年5月16日 – 中高压逆变器应用领域IGBT和MOSFET驱动器技术的领导者（纳斯达克股票代号：POWI）今天推出SC...

2017-05-19 标签：mosfet igbt 1053 0

安森美半导体的全系列IGBT满足汽车、太阳能逆变器、不间断电源、白家电等各类应用需求

安森美半导体是领先的功率器件半导体供应商，提供全面的功率器件，包括MOSFET、IGBT、二极管、宽带隙（WBG）等分立器件及智能功率模块（IPM）等功...

2017-05-16 标签：逆变器 igbt 安森美半导体 3828 0

怎样用一颗IGBT来撬动电动汽车的逆变器

本文设计一种驱动供电电源，并通过实际测试证明其可用性。常见的驱动电源采用反激电路和单原边多副边的变压器进行设计。由于反激电源在开关关断期间才向负载提供能...

2017-04-18 标签：电源逆变器 igbt 2646 0

工业电机驱动中的IGBT过流和短路保护

工业电机驱动的整个市场趋势是对更高效率以及可靠性和稳定性的要求不断提高。功率半导体器件制造商不断在导通损耗和开关时间上寻求突破。有关增加绝缘栅极双极性晶...

2017-02-10 标签：电机驱动 IGBT 2210 0

2016最受关注十大模拟电子技术热文

模拟电子技术是一门研究对仿真信号进行处理的模拟电路的学科。模拟电子技术中的二极管、三极管和场效应管是最为关键的电子器件。本文将会盘点电子发烧友模拟技术频...

2017-01-11 标签：IGBT 数模转换器模拟电子 2709 2

我国研发的8英寸IGBT高铁控制系统成功中标印度机车市场

近日，中车株洲电力机车研究所研发的8英寸IGBT（绝缘栅双极型晶体管）高铁控制系统成功中标印度机车市场。这是我国高铁装备核心器件首次获得海外批量订单。

2016-12-12 标签：功率开关 IGBT 2580 0

电动汽车逆变器用IGBT驱动电源设计及可用性测试

电动汽车逆变器用于控制汽车主电机为汽车运行提供动力，IGBT功率模块是电动汽车逆变器的核心功率器件，其驱动电路是发挥IGBT性能的关键电路。驱动电路的设...

2016-11-14 标签：电动汽车逆变器 IGBT 1301 1

英飞凌推出面向18〜40kHz开关用途的低损耗IGBT

英飞凌科技于2016年10月17日推出了支持18kHz〜40kHz开关频率的低损耗1200V耐压IGBT（绝缘栅双极型晶体管）“RC-E系列”（英文发布...

2016-11-14 标签：英飞凌 IGBT 1476 1

Model X上配备了250多个英飞凌的半导体部件

11月12日，在慕尼黑电子展“electronica 2016”上，德国英飞凌科技公司在其展位的醒目位置展示了特斯拉的纯电动SUV“Model X”，M...

2016-11-14 标签：英飞凌 IGBT 慕尼黑电子展 1453 1

功率半导体市场大幅增长 SiC跻身电源组件主流

过去几年来，碳化硅（SiC）型功率半导体解决方案的使用情形大幅成长，成为各界仰赖的革命性发展。推动此项市场发展的力量包括下列趋势：节能、缩减体积、系统整...

2016-11-14 标签：igbt SiC 功率半导体 1924 0

上海先进试制6500V机车用IGBT芯片通过中车产品鉴定

由中国电器工业协会电力电子分会组织的“中国中车完全自主知识产权6500V大功率IGBT芯片与模块产品鉴定暨发布会”在西安召开，经专家组评议一致认为：由上...

2016-11-02 标签：新能源汽车比亚迪 IGBT 1824 0

ST的650V IGBT可大幅提升20kHz功率转换应用的能效

意法半导体推出新款M系列650V IGBT，为电源设计人员提供一个更快捷经济的能效解决方案,新款M系列650V IGBT，为电源设计人员提供一个更快捷经...

2016-11-02 标签：ST IGBT 2075 0

2018年市场规模60亿美元国产IGBT产业化突破在即

根据市场调研机构Yole的报告显示，全球IGBT市场规模在未来几年时间将继续保持稳定的增长势头，市场规模至2018年将达到60亿美元的数值。在产品分布...

2016-09-05 标签：英飞凌比亚迪 IGBT 6825 0

Mentor Graphics 推出独特的 MicReD Power Tester 600A 解决方案

　　俄勒冈州威尔逊维尔，2016 年 5 月 23 日—Mentor Graphics公司（纳斯达克代码：MENT）今天宣布推出全新的 MicReD® ...

2016-05-24 标签：IGBT 晶体管 Mentor Graphics 2131 0

安森美半导体进一步扩展IGBT系列推出基于第三代超场截止技术的1200 V器件

　　2016 年 5月10日- 推动高能效创新的安森美半导体（ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号： ON），推出新系列绝缘栅双极晶体...

2016-05-10 标签：安森美 IGBT 双极晶体管 1967 0

Power Integrations推出革命性的SCALE-iDriver IC，将高可靠性的SCALE-2驱动器技术引入到1200 V应用中

中等电压和高压逆变器应用领域IGBT和MOSFET驱动器技术的领导者Power Integrations今日推出一系列输出电流介于2.5A和8 A之间的...

2016-05-10 标签：MOSFET 驱动器 IGBT 1452 0

自主可控，2020年中国IGBT超180亿元

IGBT作为电能变换的关键部件，是现代科学、工业和国防的重要核心技术。近几年中国IGBT产业在国家政策及重大项目的推动及市场牵引下得到迅速发展，已形成了...

2016-05-03 标签：英飞凌 IGBT ABB 8267 0

瑞萨电子推出第8代IGBT，以行业领先的超低损耗特性，提升系统功率

全球领先的半导体解决方案供应商瑞萨电子株式会社（TSE：6723），于今日宣布推出第八代G8H系列绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的六款新产品，其可将用于...

2016-03-21 标签：电源转换器 IGBT 瑞萨电子 2667 0

Diodes栅极驱动器可在半桥或全桥配置下开关功率MOSFET与IGBT

Diodes公司（Diodes Incorporated）新推出的DGD21xx系列包括六款半桥栅极驱动器及六款高/低侧600V栅极驱动器，可在半桥...

2016-03-14 标签：MOSFET Diodes IGBT 1519 0

Infineon新一代TRENCHSTOP 5系列产品S5系列IGBT率先登陆Mouser

贸泽电子（Mouser Electronics）为首家分销Infineon TRENCHSTOP™ 5 S5绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的全球...

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IoT是Internet of Things的缩写，字面翻译是“物体组成的因特网”，准确的翻译应该为“物联网”。物联网（Internet of Things）又称传感网，简要讲就是互联网从人向物的延伸。
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