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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

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Mentor Graphics 推出独特的 MicReD Power Tester 600A 解决方案

　　俄勒冈州威尔逊维尔，2016 年 5 月 23 日—Mentor Graphics公司（纳斯达克代码：MENT）今天宣布推出全新的 MicReD® ...

2016-05-24 标签：IGBT 晶体管 Mentor Graphics 2142 0

安森美半导体进一步扩展IGBT系列推出基于第三代超场截止技术的1200 V器件

　　2016 年 5月10日- 推动高能效创新的安森美半导体（ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号： ON），推出新系列绝缘栅双极晶体...

2016-05-10 标签：安森美 IGBT 双极晶体管 1970 0

Power Integrations推出革命性的SCALE-iDriver IC，将高可靠性的SCALE-2驱动器技术引入到1200 V应用中

中等电压和高压逆变器应用领域IGBT和MOSFET驱动器技术的领导者Power Integrations今日推出一系列输出电流介于2.5A和8 A之间的...

2016-05-10 标签：MOSFET 驱动器 IGBT 1455 0

自主可控，2020年中国IGBT超180亿元

IGBT作为电能变换的关键部件，是现代科学、工业和国防的重要核心技术。近几年中国IGBT产业在国家政策及重大项目的推动及市场牵引下得到迅速发展，已形成了...

2016-05-03 标签：英飞凌 IGBT ABB 8275 0

瑞萨电子推出第8代IGBT，以行业领先的超低损耗特性，提升系统功率

全球领先的半导体解决方案供应商瑞萨电子株式会社（TSE：6723），于今日宣布推出第八代G8H系列绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的六款新产品，其可将用于...

2016-03-21 标签：电源转换器 IGBT 瑞萨电子 2671 0

Diodes栅极驱动器可在半桥或全桥配置下开关功率MOSFET与IGBT

Diodes公司（Diodes Incorporated）新推出的DGD21xx系列包括六款半桥栅极驱动器及六款高/低侧600V栅极驱动器，可在半桥...

2016-03-14 标签：MOSFET Diodes IGBT 1521 0

Infineon新一代TRENCHSTOP 5系列产品S5系列IGBT率先登陆Mouser

贸泽电子（Mouser Electronics）为首家分销Infineon TRENCHSTOP™ 5 S5绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的全球...

2015-12-14 标签：IGBT Mouser Infineon 1910 0

瑞萨电子推出业界领先的低功耗 IGBT，可提高空调运行效率

全球领先的半导体解决方案供应商瑞萨电子株式会社（TSE：6723）今日宣布推出用于空调功率系数校正（PFC）电路的新型功率半导体器件，可广泛用于中低端空...

2015-12-01 标签：IGBT 低功耗瑞萨电子 1748 0

中车研制出最高电压等级高铁“中国芯”6500V／200A IGBT模块

从中国中车股份有限公司了解到，中国中车永济电机公司已自主研制出我国最高电压等级的高铁“中国芯”—— 6500V/200AIGBT模块。该模块的诞生，标志...

2015-10-26 标签：IGBT 6412 0

高功率半导体的未来前方道路通往何处？

电力电子系统技术之所以快速发展，功率模组乃是公认的主要推动力，尤其在节约能源、功率控制动态范围、减少杂讯、减轻重量和缩减体积方面，表现更是出色。功率半导...

2015-08-12 标签：IGBT EV 716 0

英飞凌推出新款Advantage系列IGBT产品

2015-06-16 标签：IGBT 逆变焊机 1433 0

Fairchild大幅降低IGBT损耗，助力工业和汽车应用中效率的提升

Fairchild将在PCIM Asia上介绍如何通过打破硅“理论上”的限制来将IGBT 开关损耗降低30%

2015-06-15 标签：IGBT 汽车工业工业变频器 1126 0

英飞凌推出新型 IGBT，将总功耗降至最低水平

德国慕尼黑 – 2015年2月6日 – 英飞凌科技股份公司（FSE：IFX/ OTCQX：IFNNY）近日推出新型低饱和压降VCE（sat） IGBT。...

2015-02-09 标签：英飞凌 IGBT L5 2343 0

e络盟携手60家行业领先供应商为亚太区扩展分立元件产品系列

［中国 2015年1月28日］ e络盟日前宣布供应来自全球60家行业领先供应商的分立元件产品，进一步丰富已超过2.6万种分立元件的产品库存，其中涵盖Di...

2015-01-28 标签：英飞凌 MOSFET NXP 1332 0

英飞凌推出高功率模块平台，为业界提供免授权费封装设计许可

2014年12月17日，德国慕尼黑讯——英飞凌科技股份有限公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）今日宣布推出两款全新功率模块平台，用...

2014-12-18 标签：英飞凌 IGBT 功率模块 1222 0

IR为混合动力汽车和电动车推出600V车用IGBT

全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司（International Rectifier，简称IR）近日发布600V车用IGBT产品AUI...

2014-12-11 标签：IR IGBT 2342 0

IR为高功率工业应用推出新IGBT模块系列

2014年11月10日，北京——全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司（International Rectifier，简称IR）推出...

2014-11-11 标签：IR IGBT 太阳能逆变器 2207 0

IR推出650V器件以扩充超高速沟道IGBT系列

2014年10月21日，北京——全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司（International Rectifier，简称IR）推出...

2014-10-21 标签：IGBT IR公司 IRGP47xx 2088 0

Vishay新款IGBT模块为太阳能逆变器和UPS提供集成方案

宾夕法尼亚、MALVERN — 2014 年 10 月16 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：...

2014-10-16 标签：IGBT 太阳能逆变器 1720 0

IR推出高性能600V超高速沟道IGBT IR66xx系列

全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司（International Rectifier，简称IR）推出高性能600V超高速沟道场截止绝...

2014-08-19 标签：IGBT IR公司 IR66xx 2582 0

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