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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

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IGBT的崛起——国产功率器件的曙光

IGBT是功率器件技术演变的最新产品，是未来功率器件的主流发展方向。

2014-08-05 标签：智能电网电机控制 IGBT 2164 0

IR扩充坚固可靠的600V节能沟道IGBT系列

全球功率半导体和管理方案领导厂商——国际整流器公司（International Rectifier，简称IR）宣布扩充节能的600V绝缘栅双极晶体管...

2014-05-14 标签：IR IGBT 1394 0

专有的 Optoplanar 封装技术助力高级 2.5 A 输出光电耦合器

该光电耦合器可实现快速开关驱动功率 IGBT 和 MOSFET ，同时提高系统效率，绝缘工作电压额定值（VIORM）为 1，414 V，比竞争产品高...

2014-03-25 标签：MOSFET IGBT 光电耦合器 877 0

Vishay发布宽体IGBT和MOSFET驱动器可用于高压应用领域

日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出用于电机驱动、太阳能逆变器、新能源和焊接设备，以及...

2014-03-25 标签：MOSFET Vishay IGBT 782 0

国产IGBT功率器件步入快速发展阶段

在中国，为了适应大环境的需求，扶持相关企业的健康发展，国家在新能源、节能环保方面出台了一系列支持性的政策措施，在政府和市场的双重推动下，功率半导体行业正...

2014-03-11 标签：IGBT 功率器件 1640 0

IR推超高速IGBT 为感应加热和软开关应用作出优化

全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司（International Rectifier，简称IR）宣布推出坚固可靠的超高速1400V沟...

2014-03-10 标签：IR IGBT 1703 1

英飞凌为感应加热应用推出新一代逆导IGBT

英飞凌科技股份公司推出单片集成逆导二极管的20A 1350V器件，再次扩充逆导（RC）软开关IGBT（绝缘栅双极型晶体管）产品组合。新的20A RC-...

2014-02-24 标签：英飞凌 IGBT 911 0

国家政策支持，中国功率半导体将迎来黄金发展期

据中国半导体行业协会的相关人士透露，有关促进集成电路发展的纲要性文件已草拟完毕，目前正在进行部际协调。上证报资讯获悉，政策扶持的重点将主要集中于集成电路...

2014-01-21 标签：IGBT SiC 功率半导体 1785 0

2013年度大事记：蓝牙/IGBT/802.11p全面爆发

4G商用带动产业链大发展网络建设成关键，新能源应用加持IGBT市场商机无限，蓝牙4.0超越过往三大操作系统支持飞速发展，

2013-12-13 标签：4G 蓝牙 IGBT 1660 0

飞兆半导体的1200V沟槽型场截止IGBT提供更快速的开关性能和改进的可靠性

飞兆半导体是全球领先的高性能电源和移动半导体解决方案的提供商，其推出一系列1200 V沟槽型场截止IGBT。以硬开关工业应用为目标，如太阳能逆变器、不间...

2013-12-05 标签：飞兆半导体 IGBT 1205 0

利用安森美半导体IGBT实现高能效的高性能开关应用

今天，不论是用在工业领域还是民用产品的开关应用，绝缘栅双极晶体管（IGBT）都可以提供有效的解决方案，以实现最终产品的高能效和高性能。在节能至上的市场上...

2013-11-20 标签：IGBT 安森美半导体 1103 0

揭秘IGBT市场成长的动力来源

IGBT市场在2011~2012年少许反常性的下跌后，今年市场已回归稳定成长脚步。具体而言，市场预估将从今年的36亿美元，在5年后达到60亿美元。

2013-11-11 标签：IGBT 马达驱动器 1369 2

Amantys加快在中国的发展并宣布实力强劲的分销网络伙伴

2013年10月22日 – 继今年6月在上海设立销售办事处之后，Amantys又宣布了三家主要分销和代理合作伙伴，以推广和销售其IGBT栅极驱动器系列产品。

2013-10-25 标签：IGBT Amantys 692 0

Amantys针对高功率模块的4500V Amantys Power DriveTM 驱动器进入中国市场

2013年10月22日 – Amantys今日宣布推出一款针对高功率模块的全新绝缘栅双极晶体管（IGBT）栅极驱动器，其工作电压为4500V，额定电流从...

2013-10-23 标签：IGBT 功率模块栅极驱动器 1900 0

明星企业齐聚PEC电力电子，共讨行业发展新趋势

由爱戴爱集团主办，《Bodo’s功率系统》协办的PEC中国国际电力电子峰会暨产品展示会—苏州站将于10月25日在苏州会议中心隆重开幕。截止日前，英飞凌科...

2013-10-15 标签：IGBT SiC GaN 1093 0

国产IGBT前景看好，但突破之路颇曲折

随着IGBT技术的发展，IGBT已经从工业扩展到消费电子应用，成为未来10年发展最迅速的功率半导体器件；而在中国市场，轨道交通、家电节能、风力发电、太阳...

2013-09-24 标签：MOSFET IGBT 2160 1

飞兆半导体的阳极短路IGBT荣膺EPC十佳功率产品奖

飞兆半导体（纽约证券交易所代码： FCS）——全球领先的高性能功率和移动半导体解决方案供应商已荣膺《今日电子（EPC）》主办的第11届年度十佳DC-DC...

2013-09-18 标签：飞兆半导体 IGBT 828 0

中国首件自主设计大功率IGBT芯片通过鉴定

今天上午，在上海制造的大功率IGBT芯片（绝缘栅双极型晶体管）通过专家鉴定，这一中国首件自主设计制造的“中国芯”不仅迈开了替代进口的步伐，还将在轨道交通...

2013-09-13 标签：智能电网 IGBT 变频技术 1984 3

美高森美为工业应用推出了新一代大功率、高性能650V NPT IGBT

美高森美公司宣布提供下一代650V非穿通型（NPT）绝缘栅双极晶体管（IGBT）产品，备有45A、70A和95A额定电流型款。美高森美全新NPTIGBT...

2013-08-19 标签：IGBT 美高森美 NPT 971 0

马达驱动和再生能源应用加持 IGBT市场前景一片光明

　IGBT 市场在 2011~2012年少许反常性的下跌后， Yole 分析师预期今年市场已回归稳定成长脚步，具体而言，市场预估将从今年的36亿美元，在...

2013-08-15 标签：UPS IGBT 再生能源 1130 0

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