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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

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英飞凌推出EiceDRIVER™SIL和EiceDRIVER™Boost，用于汽车级IGBT驱动

英飞凌科技股份有限公司（FSE:IFX / OTC QX:IFNNY）今天推出新一代应用于新能源汽车的高压IGBT门级驱动器。有了专为混合动力/电动...

2013-05-27 标签：IGBT EiceDRIVER™Boost 1538 0

安森美半导体推出领先业界的最佳系统级性能的IGBT

安森美半导体（ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN）持续扩充高性能绝缘门双极晶体管（IGBT）产品阵容，应用于消费类电器及工...

2013-05-15 标签：安森美 IGBT 1403 0

IGBT厂商开拓新市场，低电压应用成为目标

　IGBT业者正积极抢进600伏特以下的低电压应用。全球经济不稳定，加上主要应用市场竞争日益激烈，使得IGBT产业近来成长趋缓。为开创成长新契机，IGB...

2013-05-06 标签：英飞凌东芝 IGBT 1796 0

Vishay推出用于直接IGBT安装的镀金属聚丙烯膜缓冲电容器

Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款高性能镀金属聚丙烯膜缓冲电容器---Vishay R...

2013-04-08 标签：电容器 Vishay IGBT 835 0

美高森美为非穿通型IGBT产品系列增添多款新器件

美高森美公司（Microsemi Corporation，纽约纳斯达克交易所代号：MSCC）宣布其新一代1200V非穿通型（non-punch thro...

2013-04-03 标签：IGBT 美高森美 827 0

安森美欧洲工厂获OKI排气处理设备，生产环保有保障

冲电气（OKI）向安森美半导体欧洲工厂提供排气处理设备，既能完成常压CVD制膜过程的排气处理又同时确保制膜稳定性，支持客户生产过程的环保。

2013-03-13 标签：MOSFET 安森美 IGBT 936 0

IR推出能简化器件选择和优化的IGBT产品在线选型和性能评估工具

全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司（International Rectifier，简称IR）近日提升绝缘栅双极晶体管（IGBT...

2013-03-12 标签：IGBT IR公司 1098 0

德州仪器推栅极驱动器旨在满足IGBT与SiC FET需求

德州仪器（TI）宣布推出业界首款面向绝缘栅双极晶体管（IGBT）与碳化硅（SiC） FET 的 35 V 单通道输出级电源管理栅极驱动器。TI...

2013-03-04 标签：德州仪器 IGBT SiC 1267 0

IR潘大伟：善用功率器件，为节能设计保驾护航

近年来，全社会追求低能耗风潮愈演愈烈，其最终目的就在于最大限度减少电能损耗，实现变频功能也需要功率器件发挥自身神奇作用。如何才能实现更高效的节能设计？

2013-02-22 标签：MOSFET 电机控制节能 1886 0

IR扩充坚固可靠的600V沟道超高速IGBT系列

国际整流器公司（International Rectifier，简称IR）近日扩充600V绝缘栅双极晶体管（IGBT）系列，这些经过优化的新器件...

2013-02-19 标签：UPS IGBT IR公司 1155 0

飞兆半导体推出具有高可靠性和卓越开关性能IGBT

飞兆半导体的高电压场截止阳极短路（Shorted Anode） trench IGBT可针对IH电饭煲、台式电磁炉和基于逆变器的微波炉等应用中实现更高...

2013-01-29 标签：飞兆半导体 IGBT 894 0

PI子公司成立设计中心将提供定制IGBT驱动器解决方案

Power Integrations旗下子公司IGBT驱动器制造商CT-Concept Technologie AG已在德国Ense开设一家新的设计中心...

2013-01-17 标签：IGBT PI公司 1265 0

东芝新颖IGBT/MOSFET门驱动光电耦合器

东芝公司（Toshiba Corporation）（TOKYO:6502）今天宣布将推出采用DIP8封装的IC耦合器，可直接驱动中等容量的IGBT或功率...

2013-01-11 标签：MOSFET 东芝 IGBT 1428 0

台湾茂矽联手富鼎先进开发电动车高功率IGBT

茂矽电子与富鼎先进将合作开发电动车（EV）高功率绝缘闸双极型电晶体（Insulated Gate Bipolar Transistor， IGBT）元件...

2013-01-10 标签：IGBT 电源公司茂矽 2070 0

如何实现IR2110驱动电路的优化设计

驱动IGBT电压型功率器件有多种具有保护及隔离功能的集成驱动模块。这些模块具有多种保护功能、隔离驱动、电路参数一致性好、运行稳定可靠等优点，但其相对价格...

2012-12-27 标签：IGBT IR2110 功率器件 9336 1

IGBT在应用中碰到的常见问题解决方法

随着现代电力电子技术的高频大功率化的发展，开关器件在应用中潜在的问题越来越凸出，开关过程引起的电压、电流过冲，影响到了逆变器的工作效率和工作可靠性。为...

2012-12-24 标签：IGBT 功率器件 1.3万 0

开关电源技术发展的十大关注点

开关电源一直是电子行业里非常热门的技术，而它的发展趋势又是大家必须时刻关注的问题，不然一不留神就会跟不上技术发展的步伐。电子元件技术网做了项开关电源技术...

2012-12-20 标签：开关电源 IGBT 功率半导体 2955 3

国际整流器公司IGBT技术平台强攻工业市场

　国际整流器（IR）推出新一代绝缘闸双极电晶体（IGBT）技术平台。全新第八代（Gen8） 1200伏特（V）IGBT技术平台利用IR新一代沟道闸极场截...

2012-11-27 标签：IGBT 工业国际整流器 1125 0

隔离驱动IGBT和Power MOSFET等功率器件所需的技巧

功率器件，如IGBT，Power MOSFET和Bipolar Power Transistor等等，都需要有充分的保护，以避免如欠压，缺失饱和，米勒效...

2012-11-26 标签：IGBT 功率器件 Power MOSFET 8282 0

如何准确选择功率器件

所谓功率半导体器件，以前也被称为电力电子器件，简单来说，就是进行功率处理的，具有处理高电压，大电流能力的半导体器件。其电压处理范围从几十V~几千V，电流...

2012-11-22 标签：MOSFET IGBT 功率器件 1.3万 0

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IoT是Internet of Things的缩写，字面翻译是“物体组成的因特网”，准确的翻译应该为“物联网”。物联网（Internet of Things）又称传感网，简要讲就是互联网从人向物的延伸。
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