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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

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IR全新600V IGBT为马达驱动应用提升功率密度及效率

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国际整流器公司(International Rectifier，简称IR)推出600V绝缘栅双极晶体管(IGBT)系列，适合在10kHz以下工作的电机驱...

2012-09-05 标签：IR IGBT 晶体管 1099 0

IGBT驱动光耦推荐专场（TLP350,TLP250,PC929,PC923)

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瑞萨第7代650V及1250V IGBT产品

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京电子器件有限公司将于2012年7月起开始在中国销售IGBT（绝缘栅双级型晶体管）栅极驱动板，并提供根据客户要求进行设计定制的服务。该产品的特点在于仅用...

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3KW逆变器后级制作 IGBT桥驱动,可带任意负载

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华润上华成功开发600V和1700V IGBT工艺平台

华润微电子有限公司旗下的华润上华科技有限公司（后简称“华润上华”）宣布已开发完成600V和1700V Planar NPT IGBT（平面非穿通型绝缘栅...

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功率器件的开发应用与实例（图解）

　　随着全球能源的日趋紧张，节能节电迫在眉睫。电能转换是节能节电的重要环节。在电能转换过程中，转换期间的能量损失是影响节能节电的重要因素，始终成为人们关...

2012-05-28 标签：MOSFET IGBT 功率器件 5007 0

电装展出输出功率密度高达60kW/L的SiC逆变器

电装在汽车展会“人与车科技展2012”（2012年5月23～25日）上展出了输出功率密度高达60kW/L的逆变器，并公开了其性能参数等。该逆变器的体积为...

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Microsemi发布新一代超高效非穿通型IGBT

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美高森美推出新一代1200V非穿通型IGBT

美高森美公司(Microsemi Corporation，纽约纳斯达克交易所代号：MSCC) 推出新一代1200V非穿通型(non-punch thro...

2012-05-18 标签：IGBT 美高森美模拟芯片 869 1

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国际整流器公司IR推出高度创新的600V车用IGBT平台COOLiRIGBT，适合电动车 (EV) 和混合动力车 (HEV) 中的各种高速开关应用，包括...

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IGBT在大功率斩波中问题的应用

　　斩波是电力电子控制中的一项变流技术，其实质是直流控制的脉宽调制，因其波形如同斩切般整齐、对称，故名斩波。斩波在内馈调速控制中占有极为重要的地位，它不...

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PI为什么收购瑞士IGBT驱动芯片厂商？

　　Peter Rogerson表示，一个月以来双方还一直在就收购后的安排进行讨论，他和团队成员还是头一晚才拿到正式发布的演讲稿。不过他确认PI的此次收...

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PI收购瑞士高压IGBT驱动厂商CONCEPT

　　用于高能效电源转换的高压集成电路业界的领导者Power Integrations公司日前日宣布已与私人持股公司CT-Concept Technolo...

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