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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
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全球瞩目的慕尼黑上海电子展(electronica China)在上海新国际博览中心盛大启幕,汇聚了来自全球各地的电子科技精英与前沿创新成果。在这个科技...
从品牌来看,哈弗品牌11月销量为75,012辆,同比增长39.11%;今年的屡次销量为649,610辆,同比增长13.52%。wey品牌11月份销量为2...
压焊机的电流控制电路可以使用国产优质IGBT单管FHA75T65A来代换FGH75N65SHDT型号参数。
飞虹半导体FHA25T120A IGBT单管在交流弧焊机的应用
通常而言,AC弧焊机需要在交流电源上工作。常见的电路设计包括滤波电路、整流电路和逆变器电路,其中逆变电路要想运行好就必须要选用好的IGBT才能做好。
特瑞诺(TRINNO)采用最新技术的1350V高频IGBT器件
随着技术的不断进步,IGBT的设计和制造也在持续优化。现代IGBT模块不仅提高了效率和可靠性,还减小了尺寸和重量,这对于空间受限的应用尤为重要。此外,通...
基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia (安世半导体)今日宣布,将凭借600 V器件系列进军绝缘栅双极晶体管(IGBT)市场,而30A NG...
瑞萨电子推出用于驱动EV逆变器的IGBT和SiC MOSFET——RAJ2930004AGM
瑞萨电子推出一款全新栅极驱动IC——RAJ2930004AGM,用于驱动电动汽车(EV)逆变器的IGBT(绝缘栅双极型晶体管)和SiC(碳化硅)MOSF...
扩展 IGBT7 产品组合,实现bast-in-Class功率密度
我们已经介绍过关于采用标准TO-247封装的1200VTRENCHSTOPIGBT7S7加EC7二极管续流产品的优点。秉承"越多越好"...
Nexperia (安世半导体)推出新款600 V单管IGBT,可在电源应用中实现出色效率
IGBT是一项相对成熟的技术。尽管如此,这些器件的市场预计将随着太阳能面板和电动汽车(EV)充电器的日益普及而有所增长。Nexperia 的600 V ...
7月8日,为期3天的2024年慕尼黑上海电子展(electronica China)在上海新国际博览中心盛大开幕。作为全球电子行业盛会,本次展会汇聚国内...
作为株洲中车时代电气股份有限公司的旗下子公司,时代半导体自1964年起专注于功率半导体技术的研究和产业化,现已成为全球领先的IDM企业之一,掌握了大功率...
飞虹半导体FHA25T120A IGBT单管在氩弧焊机的应用
针对氩弧焊机中的逆变器与PWM(脉宽调制)控制电路中,如果需要优化电路以实现高精度和快速响应的功能,则需要一款高电压、稳定电流的IGBT单管。
适用于IGBT驱动器应用的2W DC-DC转换器输出电压引脚
MINMAX MAEU02-HI 系列是全新系列的隔离式 2W DC-DC 转换器模块,采用 SIP-7 封装,具有额定 5700VDC 的高 I/O ...
2024北京国际风能大会暨展览会(CWP2024)在北京顺利拉开帷幕。大会以“构筑发展新格局·践行时代新使命”为主题,有近1000家企业参展,聚焦风电全...
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