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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
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全球瞩目的慕尼黑上海电子展(electronica China)在上海新国际博览中心盛大启幕,汇聚了来自全球各地的电子科技精英与前沿创新成果。在这个科技...
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智能时代的能源转换:IGBT与MOSFET在智慧生活中的应用
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瑞萨电子推出用于驱动EV逆变器的IGBT和SiC MOSFET——RAJ2930004AGM
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英飞凌科技TRENSTOP™ IGBT7 1200V系列荣膺2023年Aspencore电子成就奖
11月2日,英飞凌科技的TRENSTOPIGBT71200V系列凭借其卓越的性能和广泛的应用领域,荣获2023年Aspencore电子成就奖(World...
随着OPENAI和CHATGPT的普及和知名度的提高,高强度GPU计算显然正在成为各个领域不可或缺的一部分。然而,由于高强度计算产生的大量热量,冷却解决...
随着数据中心持续为网络搜索、视频通话和信息存储等服务提供支持,处理能力需要变得更快、更强大,电力需求也随之增长。在不增加体积或影响系统效率的情况下,如何...
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