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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

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全部技术资讯资料帖子视频产品方案企业 IGBT选型

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瑞萨电子功率半导体专用 300 毫米晶圆甲府工厂开始运营

来源：Renesas Electronics 在甲府工厂开幕式上，瑞萨电子承诺扩大其功率半导体产能，以支持电动汽车不断增长的需求开幕式上：左二为瑞萨电...

2024-04-16 标签：晶圆 IGBT 瑞萨电子 510 0

IGBT搭乘新能源快车打开增长空间天花板

功率器件包括二极管、晶体管和晶闸管三大类，其中晶体管市场规模最大，晶体管又细分为IGBT、MOSFET、双极型晶体管等。功率器件是指体积较大，用来处理较...

2024-01-17 标签：集成电路二极管 IGBT 509 0

闻泰科技布局汽车市场加速推进IGBT！

在日前业绩上说明会，闻泰科技董事长、总裁张学政表示，上市公司正在布局IGBT、SiC、GaN等产品，来自汽车与工业需求持续增长，成为半导体业务增长的主要动力。

2022-10-10 标签：IGBT 光学模组 505 0

安森美推出第七代IGBT智能功率模块，助力降低供暖和制冷能耗

智能电源和智能感知技术的领先企业安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)，宣布推出采用了新的场截止第7代(FS7)绝缘栅双极晶体管(IGBT)...

2024-03-05 标签：电源安森美 IGBT 500 0

青铜剑技术出席第二十届IET交直流输电国际会议

日前，第二十届IET交直流输电国际会议（ACDC 2024）在上海召开，会议由英国工程技术学会IET（The Institution of Engine...

2024-09-06 标签：元器件 IGBT 青铜剑科技 498 0

森国科650V/6A IGBT的性能特点

森国科推出的650V/6A IGBT（型号：KG006N065SD-B）在风扇、泵和吸尘器等家电领域的应用上做到了高效电机驱动和精准控制。

2024-11-13 标签：电源管理电机 IGBT 495 0

碳化硅器件领域，中外的现况如何？

导电型碳化硅功率器件主要是通过在导电型衬底上生长碳化硅外延层，得到碳化硅外延片后进一步加工制成，品种包括SBD（肖特基二极管）、MOSFET（金属氧化物...

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IGBT模块封装中环氧树脂技术的现状与未来发展趋势探析

一、环氧树脂在IGBT模块封装中的应用现状 1. **核心应用场景与工艺** IGBT模块封装中，环氧树脂主要通过灌封（Potting）和转模成型（...

2025-02-17 标签：封装 IGBT 环氧树脂 489 0

纳芯微推出智能隔离栅极驱动器NSI67X0系列

纳芯微正式推出具有隔离模拟采样功能的智能隔离驱动 NSI67X0 系列，该系列适用于驱动 SiC、IGBT 和 MOSFET 等功率器件，兼具车规等级（...

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进入了尖端应用的IGBT

来源：罗姆半导体社区 IGBT是新型电力电子器件的主流器件之一，国外IGBT已发展到第三代。可以毫不夸张的说，没有IGBT，就没有现今高铁的发展。IGB...

2022-11-30 标签：IGBT 476 0

新品 | 1200A 4500V IGBT模块FZ1200R45HL4和FZ1200R45HL4_S7

新品1200A4500VIGBT模块FZ1200R45HL4和FZ1200R45HL4_S7知名的IHVB4.5kV单开关IGBT模块已采用我们最新一代...

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ROHM推出第四代1200V IGBT

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向车载电动压缩机、HV加热器、工业设备用逆变器等应用，开发出符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q10...

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北交大本科生走进泰克先进半导体开放实验室

近日，北京交通大学电气工程学院的“电力电子方向专业综合设计与实践”本科大四学生在杨晓峰教授的带领下，走进了泰克先进半导体开放实验室，开启了一场科技探秘之...

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SCT51240—单通道下管IGBT/MOSFET栅极驱动器

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2023-05-05 标签：MOSFET IGBT 栅极驱动器 465 0

东芝RC结构分立IGBTGT30J65MRB：提升空调与工业设备能效的可靠伙伴

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新品 | 采用IGBT7的CIPOS™ Maxi 10-20A 1200V IPM

新品采用IGBT7的CIPOSMaxi10-20A1200VIPM高性能CIPOSMaxi转模封装IPMIM12BxxxC1系列基于新型1200VTRE...

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真空压力除泡系统助力IGBT封装发展

文章转自：屹立芯创公众号 IGBT技术发展趋势（1）高功率密度电力电子产品其实有一个使命，就是不断地去减少损耗，不断地去提升功率密度。要实现高功率密...

2023-11-06 标签：封装 IGBT 441 0

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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一种集成了MOSFET和双极型晶体管特性的功率半导体器件。在实际的工程应...

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