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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
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在现代电子技术中,功率半导体器件是实现电能转换和控制的关键组件。MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)和IGBT(绝缘栅双极晶体管)是两种广泛使用...
森国科近期推出的650V/60A IGBT(型号:KG060N065LD-R),凭借其业界领先的低传导损耗和高速开关性能,在电力电子领域引起了广泛关注。
新品 | 1200A 4500V IGBT模块FZ1200R45HL4和FZ1200R45HL4_S7
新品1200A4500VIGBT模块FZ1200R45HL4和FZ1200R45HL4_S7知名的IHVB4.5kV单开关IGBT模块已采用我们最新一代...
新品 | 采用IGBT7的CIPOS™ Maxi 10-20A 1200V IPM
新品采用IGBT7的CIPOSMaxi10-20A1200VIPM高性能CIPOSMaxi转模封装IPMIM12BxxxC1系列基于新型1200VTRE...
Vishay 改良设计的 INT-A-PAK 封装 IGBT 功率模块
Vishay推出五款采用改良设计的INT-A-PAK封装新型半桥IGBT功率模块。新型器件由VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S、...
汽车一直是碳化硅(SiC)的主要应用市场。在整个汽车半导体供需发生改变的情况下,碳化硅是否还会延续此前供不应求的市场行情?
分立晶体管是电子设计中最常见的元器件之一。该产品适用于众多应用,从简单的小信号晶体管到大型高功率器件,以及高频/高功率器件。
近日,北京交通大学电气工程学院的“电力电子方向专业综合设计与实践”本科大四学生在杨晓峰教授的带领下,走进了泰克先进半导体开放实验室,开启了一场科技探秘之...
来源:上海林众电子科技有限公司 2024年11月11日,上海林众电子科技有限公司(以下简称林众电子)研发及智能质造中心正式启用。其位于上海市松江区,占地...
欧盟提出力争在2030年前将碳排放水平降低62%。也就是说,要在7年时间内实现这一目标。显然,全球朝着可再生能源迈进已成必然趋势,全世界都在探索如何利用...
近日,2024中国电力电子与能量转换大会暨中国电源学会第二十七届学术年会及展览会(CPEEC & CPSSC 2024)在西安隆重召开。会议通过...
IGBT 和 MOSFET 驱动器-延展型 SO-6 封装,实现紧凑设计、快速开关和高压
最新 IGBT 和 MOSFET 驱动器 器件峰值输出电流高达 4 A 工作温度高达 +125 °C,传播延迟低至 200 ns Vishay 推出两款...
开关电源的效率优化方法 开关电源的效率优化是一个系统工程,涉及多个方面,以下是一些关键的优化方法: 采用高品质的变压器 : 变压器是开关电源中的核心部件...
大研智造 全球碳中和下IGBT功率模块发展与激光锡焊方案全解
2015年12月达成的《巴黎协定》为全球应对气候变化行动做出安排,众多国家和地区出台碳达峰和碳中和政策目标。我国提出2030年碳排放达峰、2060年实现...
11月22日,在智光电气2024年度供应链高峰论坛上,青铜剑技术凭借在客户端的优异表现,喜获智光电气颁发的“质量先锋奖”。 青铜剑技术的高性能IGB...
英飞凌推出新型CIPOS Maxi 10-20A 1200V IPM
高性能CIPOS Maxi转模封装IPM IM12BxxxC1系列基于新型1200V TRENCHSTOP IGBT7和快速二极管Emcon 7技术。由...
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