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英飞凌科技公司于1999年4月1日在德国慕尼黑正式成立,是全球领先的半导体公司之一。其前身是西门子集团的半导体部门,于1999年独立,2000年上市。其中文名称为亿恒科技,2002年后更名为英飞凌科技。
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型号 | 描述 | 数据手册 | 参考价格 |
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BUZ323 | BUZ323 - SIPMOS Power Transistor - Infineon Technologies AG |
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BUZ32 | BUZ32 - SIPMOS Power Transistor - Infineon Technologies AG |
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BUZ31SMD | BUZ31SMD - SIPMOS Power Transistor - Infineon Technologies AG |
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BUZ31LH | BUZ31LH - SIPMOS Power Transistor - Infineon Technologies AG |
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BUZ31L | BUZ31L - SIPMOS Power Transistor - Infineon Technologies AG |
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BUZ31H3045A | BUZ31H3045A - SIPMOS Power Transistor - Infineon Technologies AG |
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BUZ31H | BUZ31H - SIPMOS Power Transistor - Infineon Technologies AG |
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BUZ31 | BUZ31 - SIPMOS Power Transistor - Infineon Technologies AG |
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BUZ30AH3045A | BUZ30AH3045A - SIPMOS Power Transistor - Infineon Technologies AG |
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BUZ30AH | BUZ30AH - SIPMOS Power Transistor - Infineon Technologies AG |
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BUZ30A | BUZ30A - SIPMOS Power Transistor - Infineon Technologies AG |
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BUZ21 | BUZ21 - SIPMOS Power Transistor - Infineon Technologies AG |
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BUZ20 | BUZ20 - SIPMOS Power Transistor - Infineon Technologies AG |
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BUZ111SE3045 | BUZ111SE3045 - SIPMOS Power Transistor - Infineon Technologies AG |
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BUZ111S | BUZ111S - SIPMOS Power Transistor - Infineon Technologies AG |
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BUZ110SE3045A | BUZ110SE3045A - SIPMOS® Power Transistor - Infineon Technologies AG |
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BUZ110S | BUZ110S - SIPMOS® Power Transistor - Infineon Technologies AG |
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BUZ102SE3045A | BUZ102SE3045A - SIPMOS Power Transistor - Infineon Technologies AG |
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BUZ102S | BUZ102S - SIPMOS Power Transistor - Infineon Technologies AG |
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BUP311D | BUP311D - IGBT With Antiparallel Diode Preliminary data sheet - Infineon Technologies AG |
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BTS949_00 | BTS949_00 - Smart Lowside Power Switch - Infineon Technologies AG |
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BTS949 | BTS949 - Smart Lowside Power Switch - Infineon Technologies AG |
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BTS941 | BTS941 - Smart Lowside Power Switch - Infineon Technologies AG |
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BTS933 | BTS933 - Smart Lowside Power Switch - Infineon Technologies AG |
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BTS917 | BTS917 - Smart Lowside Power Switch - Infineon Technologies AG |
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BTS7970B | BTS7970B - High Current PN Half Bridge NovalithIC 68 A, 7 mΩ 9 mΩ typ. - Infineon Technologies AG |
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BTS7960P | BTS7960P - High Current PN Half Bridge NovalithIC 43 A, 7 mΩ 9 mΩ - Infineon Technologies AG |
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BTS7960 | BTS7960 - High Current PN Half Bridge NovalithIC 43 A, 7 mΩ 9 mΩ - Infineon Technologies AG |
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BTS7904S | BTS7904S - OptiMOS -T PN Half Bridge - Infineon Technologies AG |
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BTS7904B | BTS7904B - OptiMOS -T PN Half Bridge - Infineon Technologies AG |
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