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英飞凌科技公司于1999年4月1日在德国慕尼黑正式成立,是全球领先的半导体公司之一。其前身是西门子集团的半导体部门,于1999年独立,2000年上市。其中文名称为亿恒科技,2002年后更名为英飞凌科技。
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型号 | 描述 | 数据手册 | 参考价格 |
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BGS12AL7-4 | BGS12AL7-4 - SPDT RF Switch - Infineon Technologies AG |
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BGS12A | BGS12A - SPDT RF Switch - Infineon Technologies AG |
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BGR420 | BGR420 - NPN Silicon RF Transistor With Bias Circuitry - Infineon Technologies AG |
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BGR405 | BGR405 - NPN Silicon RF Transistor With Bias Circuitry - Infineon Technologies AG |
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BGM781N11_10 | BGM781N11_10 - GPS Front-End Module - Infineon Technologies AG |
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BGM781N11 | BGM781N11 - GPS Front-End Module - Infineon Technologies AG |
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BGM704N7 | BGM704N7 - FM Radio LNA with Integrated RX/TX Switch - Infineon Technologies AG |
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BGF128 | BGF128 - HDMI Interface ESD Protection - Infineon Technologies AG |
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BGF127 | BGF127 - Low Capacitance ESD protection array - Infineon Technologies AG |
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BGF125 | BGF125 - SIM Card Interface Filter and ESD Protection - Infineon Technologies AG |
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BGF124 | BGF124 - SIM Card Interface Filter and USB Interface with ESD Protection - Infineon Technologies AG |
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BGF121 | BGF121 - Transient Voltage Suppressor - Infineon Technologies AG |
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BGF113 | BGF113 - Differential Microphone Filter and ESD Protection - Infineon Technologies AG |
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BGF111 | BGF111 - TV-Out Filter and ESD Protection - Infineon Technologies AG |
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BGF109L | BGF109L - 10 Channel LCD Filter Array with ESD Protection - Infineon Technologies AG |
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BGF109C | BGF109C - 10 Channel LCD Filter Array with ESD Protection - Infineon Technologies AG |
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BGF108L | BGF108L - 7 Channel LCD Filter Array with ESD Protection - Infineon Technologies AG |
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BGF108C | BGF108C - 7 Channel LCD Filter Array with ESD Protection - Infineon Technologies AG |
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BGF106C | BGF106C - SIM Card Interface Filter and ESD Protection - Infineon Technologies AG |
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BGF104C | BGF104C - HSMMC Inter face Fi l ter and ESD Protect ion - Infineon Technologies AG |
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BGC420 | BGC420 - Self-Biased BFP420 - Infineon Technologies AG |
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BGB717L7ESD | BGB717L7ESD - SiGe:C Low Noise Amplifier MMIC for FM Radio Applications - Infineon Technologies AG |
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BGB707L7ESD | BGB707L7ESD - C Wideband MMIC LNA with Integrated ESD Protection - Infineon Technologies AG |
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BGB540 | BGB540 - Active Biased RF Transistor - Infineon Technologies AG |
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BGA915N7 | BGA915N7 - Silicon Germanium GPS Low Noise Amplifier - Infineon Technologies AG |
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BGA777L7 | BGA777L7 - Single-Band UMTS LNA (2300 - 2700 MHz) - Infineon Technologies AG |
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BGA771N16 | BGA771N16 - High Linearity Dual-Band UMTS LNA (1900/1800/2100, 800/900MHz) - Infineon Technologies AG |
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BGA758L7 | BGA758L7 - 5-6 GHz LNA for WLAN - Infineon Technologies AG |
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BGA735N16 | BGA735N16 - High Linearity Tri-Band LTE/UMTS LNA (2600/2300/2100, 1900/1800, 900/800/700 MHz) - Infineon Technologies AG |
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BGA734L16 | BGA734L16 - Low Power Tri-Band UMTS LNA (2100, 1900, 800 MHz) - Infineon Technologies AG |
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