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英飞凌科技公司于1999年4月1日在德国慕尼黑正式成立,是全球领先的半导体公司之一。其前身是西门子集团的半导体部门,于1999年独立,2000年上市。其中文名称为亿恒科技,2002年后更名为英飞凌科技。
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型号 | 描述 | 数据手册 | 参考价格 |
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BGA728L7 | BGA728L7 - Broadband Low Noise Amplifier for Portable and Mobile TV Applications - Infineon Technologies AG |
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BGA715L7 | BGA715L7 - Silicon Germanium GPS Low Noise Amplifier - Infineon Technologies AG |
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BGA713L7 | BGA713L7 - Single-Band UMTS LNA (700, 800 MHz) - Infineon Technologies AG |
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BGA711L7 | BGA711L7 - Low Power Single-Band UMTS LNA - Infineon Technologies AG |
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BGA628L7 | BGA628L7 - Silicon Germanium Wide Band Low Noise Amplifier - Infineon Technologies AG |
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BGA622L7 | BGA622L7 - Silicon Germanium Wide Band Low Noise Amplifier with 2 kV ESD Protection - Infineon Technologies AG |
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BGA622GPS | BGA622GPS - GPS Low Noise Amplifier using BGA622 - Infineon Technologies AG |
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BGA622 | BGA622 - Silicon Germanium Wide Band Low Noise Amplifier with 2 kV ESD Protection - Infineon Technologies AG |
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BGA616_08 | BGA616_08 - Silicon Germanium Broadband MMIC Amplifier - Infineon Technologies AG |
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BGA616 | BGA616 - Silicon Germanium Broadband MMIC Amplifier - Infineon Technologies AG |
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BGA614_08 | BGA614_08 - Silicon Germanium Broadband MMIC Amplifier - Infineon Technologies AG |
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BGA614 | BGA614 - Silicon Germanium Broadband MMIC Amplifier - Infineon Technologies AG |
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BGA612_08 | BGA612_08 - Silicon Germanium Broadband MMIC Amplifier - Infineon Technologies AG |
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BGA612 | BGA612 - Silicon Germanium Broadband MMIC Amplifier - Infineon Technologies AG |
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BGA430 | BGA430 - A 35 dB Gain-Sloped LNB I.F. Amplifier for Direct Broadcast Satellite Television Applications using the BGA430 & BGB540 Silicon MMICs - Infineon Technologies AG |
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BGA428_07 | BGA428_07 - Gain and PCS Low Noise Amplifier - Infineon Technologies AG |
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BGA428 | BGA428 - Gain and PCS Low Noise Amplifier - Infineon Technologies AG |
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BGA427_07 | BGA427_07 - Si-MMIC-Amplifier in SIEGET 25-Technologie - Infineon Technologies AG |
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BGA427 | BGA427 - Si-MMIC-Amplifier in SIEGET 25-Technologie - Infineon Technologies AG |
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BGA420_07 | BGA420_07 - Si-MMIC-Amplifier in SIEGET 25-Technologie - Infineon Technologies AG |
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BGA416_08 | BGA416_08 - RF Cascode Amplifier - Infineon Technologies AG |
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BGA231L7 | BGA231L7 - Silicon Germanium GPS Low Noise Amplifier - Infineon Technologies AG |
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BG5412K | BG5412K - Dual N-Channel MOSFET Tetrode - Infineon Technologies AG |
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BG3430R | BG3430R - DUAL N-Channel MOSFET Tetrode - Infineon Technologies AG |
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BG3140R | BG3140R - DUAL N-Channel MOSFET Tetrode - Infineon Technologies AG |
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BG3130R | BG3130R - DUAL N-Channel MOSFET Tetrode - Infineon Technologies AG |
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BG3130 | BG3130 - DUAL N-Channel MOSFET Tetrode - Infineon Technologies AG |
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BG3123_07 | BG3123_07 - DUAL N-Channel MOSFET Tetrode - Infineon Technologies AG |
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BG3123R | BG3123R - DUAL N-Channel MOSFET Tetrode - Infineon Technologies AG |
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BG3123 | BG3123 - DUAL N-Channel MOSFET Tetrode - Infineon Technologies AG |
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