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英飞凌科技公司于1999年4月1日在德国慕尼黑正式成立,是全球领先的半导体公司之一。其前身是西门子集团的半导体部门,于1999年独立,2000年上市。其中文名称为亿恒科技,2002年后更名为英飞凌科技。
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型号 | 描述 | 数据手册 | 参考价格 |
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BFP740_09 | BFP740_09 - NPN Silicon Germanium RF Transistor - Infineon Technologies AG |
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BFP740F_07 | BFP740F_07 - NPN Silicon Germanium RF Transistor - Infineon Technologies AG |
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BFP740FESD | BFP740FESD - Robust High Performance Low Noise Bipolar RF Transistor - Infineon Technologies AG |
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BFP740ESD | BFP740ESD - Robust High Performance Low Noise Bipolar RF Transistor - Infineon Technologies AG |
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BFP740 | BFP740 - NPN Silicon Germanium RF Transistor - Infineon Technologies AG |
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BFP720FESD | BFP720FESD - Robust High Performance Low Noise Bipolar RF Transistor - Infineon Technologies AG |
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BFP720F | BFP720F - C Heterojunction Wideband RF Bipolar Transistor - Infineon Technologies AG |
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BFP720ESD | BFP720ESD - Robust High Performance Low Noise Bipolar RF Transistor - Infineon Technologies AG |
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BFP720 | BFP720 - C Heterojunction Wideband RF Bipolar Transistor - Infineon Technologies AG |
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BFP650_10 | BFP650_10 - High Linearity Low Noise SiGe:C NPN RF Transistor - Infineon Technologies AG |
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BFP650F | BFP650F - NPN Silicon Germanium RF Transistor - Infineon Technologies AG |
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BFP650 | BFP650 - NPN Silicon Germanium RF Transistor - Infineon Technologies AG |
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BFP640_07 | BFP640_07 - NPN Silicon Germanium RF Transistor - Infineon Technologies AG |
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BFP640F_07 | BFP640F_07 - NPN Silicon Germanium RF Transistor - Infineon Technologies AG |
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BFP640F | BFP640F - NPN Silicon Germanium RF Transistor - Infineon Technologies AG |
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BFP640ESD | BFP640ESD - Robust High Performance Low Noise Bipolar RF Transistor - Infineon Technologies AG |
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BFP640 | BFP640 - NPN Silicon Germanium RF Transistor - Infineon Technologies AG |
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BFP620_10 | BFP620_10 - NPN Silicon Germanium RF Transistor - Infineon Technologies AG |
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BFP620F_07 | BFP620F_07 - NPN Silicon Germanium RF Transistor - Infineon Technologies AG |
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BFP620F | BFP620F - NPN Silicon Germanium RF Transistor - Infineon Technologies AG |
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BFP620 | BFP620 - NPN Silicon Germanium RF Transistor - Infineon Technologies AG |
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BFP540_09 | BFP540_09 - NPN Silicon RF Transistor - Infineon Technologies AG |
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BFP540FESD_10 | BFP540FESD_10 - NPN Silicon RF Transistor - Infineon Technologies AG |
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BFP540FESD | BFP540FESD - NPN Silicon RF Transistor - Infineon Technologies AG |
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BFP540ESD_09 | BFP540ESD_09 - NPN Silicon RF Transistor - Infineon Technologies AG |
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BFP540 | BFP540 - NPN Silicon RF Transistor - Infineon Technologies AG |
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BFP520_10 | BFP520_10 - NPN Silicon RF Transistor - Infineon Technologies AG |
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BFP520F_07 | BFP520F_07 - NPN Silicon RF Transistor - Infineon Technologies AG |
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BFP520F | BFP520F - NPN Silicon RF Transistor - Infineon Technologies AG |
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BFP520 | BFP520 - NPN Silicon RF Transistor - Infineon Technologies AG |
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