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标签 > ips
侵入保护(阻止)系统(IPS)是新一代的侵入检测系统(IDS),可弥补IDS存在于前摄及假阳性/阴性等性质方面的弱点。IPS能够识别事件的侵入、关联、冲击、方向和适当的分析,然后将合适的信息和命令传送给防火墙、交换机和其它的网络设备以减轻该事件的风险。
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型号 | 描述 | 数据手册 | 参考价格 |
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CRSS046N08N | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):85V;连续漏极电流(Id):120A;功率(Pd):189W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.6mΩ@10V,50A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; |
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CS100N03B4 | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):100A;功率(Pd):100W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.3mΩ@10V,50A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA; |
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CS2N60A4H | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):2A;功率(Pd):35W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4Ω@10V,1A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; |
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CR7N65A4K | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):7A;功率(Pd):108W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.2Ω@10V,3.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):24nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.08nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):3.2pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); |
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CR4N60A4K |
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PC817MB | 输入电压类型:DC;输出通道数:1;正向电压:1.2V;反向电压:6V;输出电流:50mA;接收端电压:80V;集射极饱和电压(Vce(sat)@Ic,IF):100mV@1mA,20mA;隔离电压(rms):5kV; |
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CRST037N10N |
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CRST073N15N | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):150V;连续漏极电流(Id):160A;功率(Pd):227W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.2mΩ@10V,60A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):5.416nF@75V;反向传输电容(Crss@Vds):31pF@75V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); |
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CRST085N15N | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):150V;连续漏极电流(Id):120A;功率(Pd):227W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7mΩ@10V,50A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):4.217nF@75V;反向传输电容(Crss@Vds):38pF@75V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); |
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CRTT084NE6N | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):68V;连续漏极电流(Id):81A;功率(Pd):111W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8.4mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; |
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CRST049N08N | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):85V;连续漏极电流(Id):120A;功率(Pd):189W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.9mΩ@10V,50A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; |
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SKTT077N07N | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):70V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):135W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.7mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3.6V@250uA; |
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CRTD110N03L | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):20A;功率(Pd):40W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):11mΩ@10V,12A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.8V@250uA; |
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CS7N70A4R-G | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):700V;连续漏极电流(Id):7A;功率(Pd):120W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.15Ω@10V,3.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; |
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CS55N06A4 | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):55A;功率(Pd):69.5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):13mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.9V@250uA; |
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CS4N60A4R | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):75W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.5Ω@10V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; |
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CRSD082N10L2 | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):78A;功率(Pd):101W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8.6mΩ@10V,50A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.2V@250uA; |
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CRTD045N03L | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):101W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.5mΩ@10V,30A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.3V@250uA; |
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CS4N60A7HD | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):30W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.3Ω@10V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; |
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CS3818EO |
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CRJQ80N65F | MOSFETs N-CH 650V 43A 77mΩ TO247-3L |
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CRXU10D065G2 | CRXU10D065G2 |
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CRTS045N06N | MOSFETs N-沟道 VDS=60V VGS=±25V ID=120A RDS(ON)=4.5mΩ@60A,10V TO263 |
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CS3N150AKR | MOSFETs TO247 Vdss=1.5KV Id=3A N-Channel |
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CS25N10A4 | MOSFETs N-Channel Vdss=100V Id=25A Pd=56.8W |
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CS7N65FA9R |
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CS7N65FA9D |
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PC817B |
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CS25N06B4 |
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CS1N60A4H |
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