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标签 > ips
侵入保护(阻止)系统(IPS)是新一代的侵入检测系统(IDS),可弥补IDS存在于前摄及假阳性/阴性等性质方面的弱点。IPS能够识别事件的侵入、关联、冲击、方向和适当的分析,然后将合适的信息和命令传送给防火墙、交换机和其它的网络设备以减轻该事件的风险。
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型号 | 描述 | 数据手册 | 参考价格 |
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IPS620-30F | IPS620-30F - silicon controlled rectifiers - IP SEMICONDUCTOR CO., LTD. |
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IPS620-30B | IPS620-30B - silicon controlled rectifiers - IP SEMICONDUCTOR CO., LTD. |
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IPS616-25B | IPS616-25B - silicon controlled rectifiers - IP SEMICONDUCTOR CO., LTD. |
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IPS612-15B | IPS612-15B - silicon controlled rectifiers - IP SEMICONDUCTOR CO., LTD. |
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IPS612-05B | IPS612-05B - silicon controlled rectifiers - IP SEMICONDUCTOR CO., LTD. |
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IPS608-05I | IPS608-05I - High sensitive triggering levels - IP SEMICONDUCTOR CO., LTD. |
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IPS608-05D | IPS608-05D - High sensitive triggering levels - IP SEMICONDUCTOR CO., LTD. |
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IPS604-08I | IPS604-08I - High sensitive triggering levels - IP SEMICONDUCTOR CO., LTD. |
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IPS604-08D | IPS604-08D - High sensitive triggering levels - IP SEMICONDUCTOR CO., LTD. |
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IPS604-06D | IPS604-06D - High sensitive triggering levels - IP SEMICONDUCTOR CO., LTD. |
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IPS604-05I | IPS604-05I - High sensitive triggering levels - IP SEMICONDUCTOR CO., LTD. |
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IPS604-05D | IPS604-05D - High sensitive triggering levels - IP SEMICONDUCTOR CO., LTD. |
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IPS604-03I | IPS604-03I - High sensitive triggering levels - IP SEMICONDUCTOR CO., LTD. |
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IPS604-03D | IPS604-03D - High sensitive triggering levels - IP SEMICONDUCTOR CO., LTD. |
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IPS6008-08U | IPS6008-08U - High sensitive triggering levels - IP SEMICONDUCTOR CO., LTD. |
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IPS6008-06U | IPS6008-06U - High sensitive triggering levels - IP SEMICONDUCTOR CO., LTD. |
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IPS6008-05U | IPS6008-05U - High sensitive triggering levels - IP SEMICONDUCTOR CO., LTD. |
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IPS6008-03U | IPS6008-03U - High sensitive triggering levels - IP SEMICONDUCTOR CO., LTD. |
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CS2N60FA9H | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):2A;功率(Pd):24W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.5Ω@10V,1A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; |
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CS8N60FA9H | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):8A;功率(Pd):45W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.2Ω@10V,4A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; |
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CS5N60A4H | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):5A;功率(Pd):85W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.7Ω@10V,2.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; |
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CS54123CS |
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CS4N80FA9HD | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):800V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):35W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.2Ω@10V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):865pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):7.5pF@25V;工作温度:+150℃@(Tj); |
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CS4N65A8HD | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):75W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.5Ω@10V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; |
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CS4N65A3HD1-G | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):75W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2Ω@10V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):14.5nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):544pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):8.5pF@25V;工作温度:+150℃@(Tj); |
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CS2N65A4 | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):2A;功率(Pd):35W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5Ω@10V,1A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; |
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CS120N08A8 | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):85V;连续漏极电流(Id):120A;功率(Pd):208W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.5mΩ@10V,60A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; |
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3DD13007X1 | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):8A;功率(Pd):80W;集电极截止电流(Icbo):100uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@5A,1A;特征频率(fT):10MHz;工作温度:+150℃@(Tj); |
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CS4N60A8HD | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):75W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.3Ω@10V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; |
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CS2N60A3H | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):2A;功率(Pd):35W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.5Ω@10V,1A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; |
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