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侵入保护（阻止）系统（IPS）是新一代的侵入检测系统（IDS），可弥补IDS存在于前摄及假阳性/阴性等性质方面的弱点。IPS能够识别事件的侵入、关联、冲击、方向和适当的分析，然后将合适的信息和命令传送给防火墙、交换机和其它的网络设备以减轻该事件的风险。

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型号	描述	参考价格
CS2837AND	类型:N沟道;漏源电压(Vdss):500V;连续漏极电流(Id):20A;功率(Pd):230W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):260mΩ@10V,10A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;	获取价格
CS10N70FA9R	类型:N沟道;漏源电压(Vdss):700V;连续漏极电流(Id):10A;功率(Pd):40W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.05Ω@10V,5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;	获取价格
CD7378CZ	功放类型:-;输出功率:-;	获取价格
3DD13009A8	晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):12A;功率(Pd):100W;集电极截止电流(Icbo):100uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):450mV@8A,1.6A;特征频率(fT):4MHz;工作温度:+150℃@(Tj);	获取价格
3DD13003E1D	晶体管类型:1个NPN和1个PNP;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):1.3A;功率(Pd):800mW;集电极截止电流(Icbo):100uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):400mV@500mA,100mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):15@200mA,5V;特征频率(fT):5MHz;工作温度:+150℃@(Tj);	获取价格
CS65L83BP		获取价格
CS20N65FA9H	类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):20A;功率(Pd):85W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):500mΩ@10V,10A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;	获取价格
CS20N50A8H	类型:N沟道;漏源电压(Vdss):500V;连续漏极电流(Id):20A;功率(Pd):230W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):300mΩ@10V,10A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;	获取价格
CS10N65FA9HD	类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):10A;功率(Pd):50W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):850mΩ@10V,5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;	获取价格
CS12N65FA9R	类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):12A;功率(Pd):42W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):800mΩ@10V,6A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;	获取价格
CD4440CS	音频功率放大器的类型:-;输出类型:-;输出功率:-;工作电压:-;	获取价格
CD2030ACZ		获取价格
CS7N80FA9	类型:N沟道;漏源电压(Vdss):800V;连续漏极电流(Id):7A;功率(Pd):48W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.8Ω@10V,3.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;	获取价格
CS15N50FA9R	类型:N沟道;漏源电压(Vdss):500V;连续漏极电流(Id):15A;功率(Pd):70W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):400mΩ@10V,7.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;	获取价格
CS10N80FA9D	类型:N沟道;漏源电压(Vdss):800V;连续漏极电流(Id):10A;功率(Pd):60W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):900mΩ@10V,5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;	获取价格
CD7377CZ		获取价格
GN10N65A4	类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):10A;功率(Pd):110W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):900mΩ@10V,3.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):21.3nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.42nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):7.4pF@25V;工作温度:+150℃@(Tj);	获取价格
CS8N60A8H	类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):8A;功率(Pd):110W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):800mΩ@10V,4A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):29nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.253nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):15pF@25V;工作温度:+150℃@(Tj);	获取价格
CS5N20A3	类型:N沟道;漏源电压(Vdss):200V;连续漏极电流(Id):4.8A;功率(Pd):40W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):650mΩ@10V,2.9A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;	获取价格
CS1N60A1H	类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):800mA;功率(Pd):3W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):15Ω@10V,400mA;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;	获取价格
CS150N03A8	类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):150A;功率(Pd):100W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.5mΩ@10V,50A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;	获取价格
CS13N50FA9H	类型:N沟道;漏源电压(Vdss):500V;连续漏极电流(Id):13A;功率(Pd):60W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):450mΩ@10V,6.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;	获取价格
CS10N65FA9R	类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):10A;功率(Pd):40W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1Ω@10V,5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;	获取价格
CS100N08A8	类型:N沟道;漏源电压(Vdss):85V;连续漏极电流(Id):100A;功率(Pd):198W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8.5mΩ@10V,50A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;	获取价格
CS4N80A3HD-G		获取价格
CS4N60FA9R	类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):30W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.1Ω@10V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):14.5nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):590pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):4pF@25V;工作温度:+150℃@(Tj);	获取价格
CS2N65FA9	类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):2A;功率(Pd):27W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.5Ω@10V,1A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;	获取价格
3DD13005GRD	晶体管类型:NPN(集电极发射极结二极管);集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):4A;功率(Pd):50W;集电极截止电流(Icbo):100uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):250mV@2A,500mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):15@1A,5V;特征频率(fT):5MHz;工作温度:+150℃@(Tj);	获取价格
CS7N65A3R		获取价格
CS6N60FA9H	类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):6A;功率(Pd):34W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.7Ω@10V,3A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;	获取价格

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