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侵入保护（阻止）系统（IPS）是新一代的侵入检测系统（IDS），可弥补IDS存在于前摄及假阳性/阴性等性质方面的弱点。IPS能够识别事件的侵入、关联、冲击、方向和适当的分析，然后将合适的信息和命令传送给防火墙、交换机和其它的网络设备以减轻该事件的风险。

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ips数据手册

型号	描述	参考价格
CS5N60FA9HD	类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):5A;功率(Pd):30W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.8Ω@10V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):14.5nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):544pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):8.5pF@25V;工作温度:+150℃@(Tj);	获取价格
CS4N65FA9HD	类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):30W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.5Ω@10V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;	获取价格
CS3205B8	类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):120A;功率(Pd):230W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8mΩ@10V,50A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;	获取价格
3DD13005C7D	晶体管类型:1个NPN,1个PNP;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):4A;功率(Pd):50W;集电极截止电流(Icbo):100uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@2A,500mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):15@1A,5V;特征频率(fT):5MHz;工作温度:+150℃@(Tj);	获取价格
CS54123CB		获取价格
CS4N65A3HD	类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):75W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.5Ω@10V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;	获取价格
CS12N60FA9R	类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):12A;功率(Pd):42W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):750mΩ@10V,6A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;	获取价格
CS12N60FA9H	类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):12A;功率(Pd):55W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):650mΩ@10V,6A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;	获取价格
CD8227GP	功放类型:-;输出功率:-;	获取价格
CD1517CP	功放类型:-;输出功率:-;	获取价格
3DD13003F6	晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):50W;集电极截止电流(Icbo):100μA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@1A,250mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):-;特征频率(fT):5MHz;工作温度:+150℃@(Tj);	获取价格
3DD13003F1D	晶体管类型:1个NPN,1个PNP;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):800mW;集电极截止电流(Icbo):100uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@500mA,100mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):15@200mA,5V;特征频率(fT):5MHz;工作温度:+150℃@(Tj);	获取价格
HGE055NE4A	类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-;	获取价格
CV203DCZ	功放类型:-;输出功率:-;	获取价格
CS730A3RD		获取价格
CS4N60A3R	类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):75W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.5Ω@10V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;	获取价格
CS460FA9H	类型:N沟道;漏源电压(Vdss):500V;连续漏极电流(Id):20A;功率(Pd):85W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):300mΩ@10V,10A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;	获取价格
CS1N60A3H	类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):800mA;功率(Pd):25W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):15Ω@10V,400mA;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;	获取价格
CD7266CZ	音频功率放大器的类型:-;输出类型:-;输出功率:-;工作电压:-;	获取价格
CS45N06A4	类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):45A;功率(Pd):54.3W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):16mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@250uA;	获取价格
CS25N06C4	类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):25A;功率(Pd):36.2W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):29mΩ@10V,19A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@250uA;	获取价格
CF4558GP		获取价格
3DD13003E1D-BD	晶体管类型:1个NPN和1个PNP;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):1.3A;功率(Pd):800mW;集电极截止电流(Icbo):100uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):400mV@500mA,100mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):15@200mA,5V;特征频率(fT):5MHz;工作温度:+150℃@(Tj);	获取价格
CS630A8H	类型:N沟道;漏源电压(Vdss):200V;连续漏极电流(Id):9A;功率(Pd):83W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):280mΩ@10V,5.4A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;	获取价格
CS4N70FA9R	类型:N沟道;漏源电压(Vdss):700V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):30W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.55Ω@10V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):12.7nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):606pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):2.7pF@25V;工作温度:+150℃@(Tj);	获取价格
CS16N06AE-G	类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):16A;功率(Pd):3.1W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):10mΩ@10V,8A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;	获取价格
CS20N60FA9H	类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):20A;功率(Pd):85W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):450mΩ@10V,10A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;	获取价格
CS3N90A3H1-G	类型:N沟道;漏源电压(Vdss):900V;连续漏极电流(Id):3A;功率(Pd):75W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.5Ω@10V,1.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;	获取价格
CS1N60C1HD	类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-;	获取价格
CD7379CZ	功放类型:-;输出功率:-;	获取价格

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