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IR2110

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美国IR公司生产的IR2110驱动器。它兼有光耦隔离（体积小）和电磁隔离（速度快）的优点，是中小功率变换装置中驱动器件的首选品种。

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IR2110简介

　　美国IR公司生产的IR2110驱动器。它兼有光耦隔离（体积小）和电磁隔离（速度快）的优点，是中小功率变换装置中驱动器件的首选品种。

　　IR2110是美国国际整流器公司（International Rectifier Company ）利用自身独有的高压集成电路及无门锁CMOS 技术，于1990 年前后开发并投放市场的大功率MOSFET和IGBT专用栅极驱动集成电路，已在电源变换、马达调速等功率驱动领域中获得了广泛的应用。该电路芯片体积小（DIP-14、SOIC-16），集成度高（可驱动同一桥臂两路），响应快（ ton /tof = 120/94 n s ），偏值电压高（《 600 V ），驱动能力强，内设欠压封锁，而且其成本低，易于调试，并设有外部保护封锁端口。尤其是上管驱动采用外部自举电容上电，使得驱动电源路数目较其他IC驱动大大减小。对于发射机的4 管构成的全桥电路，采用2片IR2110驱动2个桥臂，仅需要一路10一20V电源，从而大大减小了控制变压器的体积和电源数目，降低了产品成本，提高了系统的可靠性。

IR2110百科

　　美国IR公司生产的IR2110驱动器。它兼有光耦隔离（体积小）和电磁隔离（速度快）的优点，是中小功率变换装置中驱动器件的首选品种。

　　IR2110使用笔记

　　使用IR2110的目的是为了控制功率电路，IR2110作为高压集成驱动芯片，集成了高压侧和低压侧两路驱动的输出，为驱动半桥和全桥电路提供了便捷。

　　为利用好这款芯片，需要理解其工作原理。电路需要设计自举电容，自举二极管，以及MOS管的外围配置电路。

　　以驱动半桥为例来详述其工作原理：

　　 IR2110使用笔记

　　图1 自举电容充电过程

　　当LO输出高电平，VCC将电源电压加在Q2两端，下管导通，电源VCC通过自举二极管，自举电容，下管Q2构成充电回路，给自举电容C1充电。由于驱动波形是互补输出，此时HO输出低电平，上管处于截止状态，此时由于Q2导通，故Va是处于低电平状态，此时半桥输出低电平。VCC经过自举二极管的压降，将电压加在自举电容C1的两端。

　　LO输出高电平，

　　第一，将电源电压加在下管Q2的栅源两端，开通下管Q2；

　　第二，电源电压给自举电容充电；

　　第三，半桥中点输出低电平

　　自举电容的计算公式如下：

　　 IR2110使用笔记

　　图2 自举电容放电过程

　　针对实际电路所用的MOS管，在计算出所需的自举电容值后，当电容两端电压达到电源电压，关断Q2。HO输出高电平，自举电容两端电压加在上管Q1的栅源两端，开通Q1（若是软开关，会经历一段死区时间），此时自举电容两端电压会经过VB，HO，上管Q1，构成放电回路。由于Q1处于导通状态，母线电压与Va点电压相同，即此时半桥输出高电平。

　　HO输出高电平，

　　第一，将自举电容两点电压加在上管Q1的栅源两端，开通上管Q1；

　　第二，上管Q1输出高电平

　　为了更好地理解，IR2110的工作原理，下面列出了其驱动全桥电路的波形图。采用移相全桥控制方法，Q1和Q2构成超前臂，Q3和Q4构成滞后臂，结合上述分析可知，当HO输出高电平的时，半桥中点输出高电平，LO输出高电平的时，半桥中点输出低电平。所以Va，Vb的波形和Q1、Q3是一致的。这样就得到负载电压Va-Vb。

　　 IR2110使用笔记

　　图3 全桥电路原理图

　　 IR2110使用笔记

　　图4 全桥电路波形图

　　通过上述分析，我们可以得知只有HO输出高电平的时候，半桥中点才能输出高电平，而LO输出高电平的时候，半桥中点输出低电平，这可以等效于将LO接地。有鉴于此，可以利用IR2110的单路来驱动MOS管。

　　 IR2110使用笔记

　　图5 IR2110驱动buck电路MOS管

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ir2110知识

求一种基于IR2110的打印机高频逆变器设计方案

开关电源等技术在当今社会的电力电子应用和多样化的电源系统中发挥着至关重要的作用。

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IR2110的工作原理,自举电容过程和配置电路的详细中文资料立即下载

类别：单片机 2018-06-01 标签：IR2110 配置电路自举电容

IR2110驱动电路设计方案立即下载

类别：电源技术 2018-01-11 标签：MOSFET IR2110

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类别：IC datasheet pdf 2008-12-03 标签：ir DRIVER IR2110

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类别：IC中文资料 2012-07-21 标签：IR2110

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