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LDMOS（laterally-diffused metal-oxide semiconductor）是在高压功率集成电路中常采用高压LDMOS满足耐高压、实现功率控制等方面的要求，常用于射频功率电路。

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罗彻斯特为Ampleon的ICN8系列LDMOS射频功率晶体管延长市场寿命

罗彻斯特电子与Ampleon合作支持授权解决方案 Ampleon创办于2015年，前身是NXP的射频功率业务部门，在射频功率领域拥有50多年的领导地位...

2024-08-12 标签：LDMOS 罗彻斯特射频功率晶体管 804 0

江西萨瑞微独家研发【一种LDMOS场效应管及其制备方法】

一种LDMOS场效应管及其制备方法本发明涉及半导体器件设计领域，具体涉及一种LDMOS场效应管及其制备方法。在当前半导体行业竞争日趋激烈的背景下，LDM...

2024-04-13 标签：LDMOS 半导体器件 441 0

一种LDMOS场效应管及其制备方法

LDMOS场效应管，即横向扩散金属氧化物半导体器件。随着对击穿电压要求的提高，对LDMOS场效应管中场板要求也高。

2024-03-06 标签：场效应管 LDMOS 768 0

5G功放技术战-GaN和LDMOS各擅胜场

来源：RF技术社区 5G的快速部署，使得在基站中大量使用的功率放大器（PA,简称功放）芯片及其他射频组件的需求持续增长，成为各家射频公司争夺的焦点。在...

2022-12-01 标签：GaN LDMOS 5G 3108 0

到2025年，整个GaN RF市场将从2019年的7.4亿美元增长到超过20亿美元

报告指出，自 20 年前首款商用产品问世以来，GaN 技术已成为 LDMOS 和 GaAs 在 RF PA 市场中的重要竞争对手。凭借其在 4G LTE...

2020-09-21 标签：GaN LDMOS 5G 2590 0

GaN步步紧逼，LDMOS路在何方？

在射频和功率应用中，氮化镓（GaN）技术正在变得日益盛行。

2019-01-19 标签：射频氮化镓 LDMOS 7164 0

从LDMOS转到氮化镓的时间窗口只有三年

“现在正处于从LDMOS转到氮化镓的时间窗口，但只有三年。”能讯半导体总经理任勉表示，在氮化镓领域耕耘十二年，能讯半导体迎来关键时间节点，抓住5G基站建...

2018-10-19 标签：氮化镓 LDMOS 7744 0

Ampleon为HF、VHF和ISM应用提供LDMOS RF功率晶体管

Ampleon宣布推出全面广泛的模压塑料（overmoulded plastic， OMP） RF功率晶体管产品组合，采用众所周知的非常稳固LDMOS技术。

2016-01-13 标签：晶体管 LDMOS Ampleon 2057 0

超耐用LDMOS提升功率：恩智浦发布BLF188XR

恩智浦半导体（NXP Semiconductors N.V.）（纳斯达克代码：NXPI）今日推出BLF188XR – 其XR系列“超耐用” LDMOS ...

2013-08-13 标签：LDMOS 射频功率晶体管 BLF188XR 4415 0

恩智浦推出全新Gen8+ LDMOS RF功率晶体管

恩智浦半导体（NXP Semiconductors N.V.）（纳斯达克：NXPI）近日宣布推出全新Gen8+ LDMOS RF功率晶体管，作为特别关注...

2013-06-21 标签：恩智浦 LDMOS 功率晶体管 1709 0

飞思卡尔提供多款新型LDMOS和GaN功率晶体管

日前，射频功率技术领先供应商飞思卡尔宣布为其Airfast RF功率解决方案推出最新成员：包括三个LDMOS功率晶体管与一个氮化镓（GaN）晶体管，所有...

2013-06-09 标签：飞思卡尔 GaN LDMOS 1962 0

英飞凌推出全新射频功率LDMOS晶体管

英飞凌科技推出用于商业航空电子设备和雷达系统的脉冲应用和其他类型工业放大器的高功率晶体管。基于全新的50V LDMOS工艺技术，全新推出的器件具备高能效...

2012-07-15 标签：英飞凌晶体管 LDMOS 1429 0

最新耐用型大功率LDMOS晶体管耐用测试及应用类型

众所周知，像硅双极晶体管等一些晶体管能够在其中一些半导体单元因短路或负载失配等原因损坏时继续工作。因此，将一个器件定义为“耐用晶体管”可能没有清晰的界限...

2012-05-28 标签：射频 ldmos 功率晶体管 1879 0

基于LDMOS的TD-SCDMA射频功率放大器

本文通过对基于 Freescale 生产的LDMOS 晶体管MW6IC2240构成的射频功率放大器研究，以及建立相应的电路模型，主要研究了射频功率放大器...

2012-04-24 标签：TD-SCDMA LDMOS 2106 0

LDMOS的性能与制造工艺

与双极型晶体管相比，LDMOS管的增益更高，LDMOS管的增益可达14dB以上，而双极型晶体管在5~6dB

2011-12-01 标签：LDMOS 4184 0

LDMOS和VDMOS

DMOS主要有两种类型，垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管VDMOSFET和横向双扩散金属氧化物半导体场效应管LDMOSFET。

2011-12-01 标签：VDMOS LDMOS 3.8万 0

LDMOS器件静电放电失效原理

通过对不同器件结构LDMOS的静电放电防护性能的分析对比，指出带埋层的深漏极注入双RESURF结构LDMOS器件在静电防护方面的优势。

2011-12-01 标签：静电放电 LDMOS 1.1万 0

LDMOS结构/优点

LDMOS( Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor)横向扩散金属氧化物半导体)是为900MHz蜂窝电...

2011-12-01 标签：LDMOS 1.0万 0

电源控制芯片中的过流保护设计

本文介绍采用直接检测LDMOS 漏端电压来判断其是否过流的设计方案，给出了电路结构。通过电路分析，并利用BCD 高压工艺，在cadence 环境下进行电...

2011-10-20 标签：过流保护 LDMOS 3405 0

飞思卡尔推出射频高功率LDMOS晶体管

2011年9月9日，德克萨斯州奥斯汀市 – 飞思卡尔半导体 (NYSE:FSL)宣布推出高功率射频LDMOS晶体管，该产品结合了业界最高的输出功率、效率...

2011-09-13 标签：飞思卡尔 LDMOS 1288 0

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