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LMG1210 是一款 200V 半桥 MOSFET 和氮化镓场效应晶体管 (GaN FET) 驱动器,专为要求超高频率、高效率的 应用 而开发, 具有 可调节死区时间功能、极短的传播延迟以及 3.4ns 高侧/低侧匹配,以优化系统效率。
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TI推出业内最小、最快的GaN驱动器,扩展其GaN电源产品组合
德州仪器(TI)(NASDAQ: TXN) 近日宣布推出两款新型高速氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET)驱动器,进一步扩展了其业内领先的GaN电源产品...
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