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LMG5200器件集成了 80V、10A 驱动器和 GaN 半桥功率级,采用增强模式氮化镓 (GaN) FET 提供了一套集成功率级解决方案,该器件配有用户友好型接口且更为出色,采用半桥配置的同一高频 GaN FET 驱动器提供驱动。
LMG5200器件集成了 80V、10A 驱动器和 GaN 半桥功率级,采用增强模式氮化镓 (GaN) FET 提供了一套集成功率级解决方案,该器件配有用户友好型接口且更为出色,采用半桥配置的同一高频 GaN FET 驱动器提供驱动。
GaN FET 在功率转换方面的优势显著,能够承受高达 12V 的输入电压,与 TPS53632G 控制器搭配使用时,LMG5200 能够直接将 48V 电压转换为负载点电压 (0.5-1.5V)。
当测定氮化镓(GaN)晶体管的皮秒量级上升时间时,即使有1GHz的观察仪器和1GHz的探针仍可能不够。准确测定GaN晶体管的上升和下降时间需要细心留意您...
相较于以往使用的硅晶体管,氮化镓 (GaN) 可以让全新的电源应用在同等的电压下以更高的转换频率运行。这意味着,在同样的条件下,GaN可实现比基于硅材料...
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